富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
FF07075J-7A

FF07075J-7A

SICFET N-CH 750V 36A TO-263-7L

fastSiC

300 -
FF07075J-7A

数据表

Falcon TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 36A (Tc) 18V 95mOhm @ 10A, 18V - 2.5V @ 20mA 70 nC @ 15 V 750 V +18V, -8V 1564 pF @ 500 V - - TO-263-7L - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF06060QA

FF06060QA

SICFET N-CH 650V 43A TO-247-4L

fastSiC

300 -
FF06060QA

数据表

Falcon TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 43A (Tc) 18V 80mOhm @ 15A, 18V - 2.5V @ 20mA 69 nC @ 15 V 650 V +18V, -8V 1499 pF @ 400 V AEC-Q101 - TO-247-4L Automotive 202W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF06060E-3A

FF06060E-3A

SICFET N-CH 650V 43A TO-247-3L

fastSiC

300 -
FF06060E-3A

数据表

Falcon TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 43A (Tc) 18V 80mOhm @ 15A, 18V - 2.5V @ 20mA 69 nC @ 15 V 650 V +18V, -8V 1499 pF @ 400 V AEC-Q101 - TO-247-3L Automotive 202W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF07075QA

FF07075QA

SICFET N-CH 750V 34A TO-247-4L

fastSiC

300 -
FF07075QA

数据表

Falcon TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 34A (Tc) 18V 95mOhm @ 10A, 18V - 2.5V @ 20mA 70 nC @ 15 V 750 V +18V, -8V 1564 pF @ 500 V - - TO-247-4L - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF07075E-3A

FF07075E-3A

SICFET N-CH 750V 34A TO-247-3L

fastSiC

300 -
FF07075E-3A

数据表

Falcon TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 34A (Tc) 18V 95mOhm @ 10A, 18V - 2.5V @ 20mA 70 nC @ 15 V 750 V +18V, -8V 1564 pF @ 500 V - - TO-247-3L - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF12080J-7A

FF12080J-7A

SICFET N-CH 1200V 31A TO-263-7L

fastSiC

300 -
FF12080J-7A

数据表

Falcon TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 31A (Tc) 18V 112mOhm @ 8A, 18V Surface Mount 2.5V @ 20mA 73 nC @ 15 V 1200 V 18V 1548 pF @ 800 V - - D2PAK-7L - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF12080QA

FF12080QA

SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-4L

fastSiC

300 -
FF12080QA

数据表

Falcon TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 29A (Tc) 18V 112mOhm @ 8A, 18V - 2.5V @ 20mA 73 nC @ 15 V 1200 V +18V, -8V 1548 pF @ 800 V - - TO-247-4L - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF12080E-3A

FF12080E-3A

SICFET N-CH 1200V 29A TO-247-3L

fastSiC

300 -
FF12080E-3A

数据表

Falcon TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 29A (Tc) 18V 112mOhm @ 8A, 18V - 2.5V @ 20mA 73 nC @ 15 V 1200 V +18V, -8V 1548 pF @ 800 V - - TO-247-3L - 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF06030Q

FF06030Q

SICFET N-CH 650V 65A TO-247-4L

fastSiC

300 -
FF06030Q

数据表

Falcon TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 65A (Tc) 18V 45mOhm @ 30A, 18V - 2.2V @ 40mA 125 nC @ 15 V 650 V +18V, -8V 3015 pF @ 400 V - - TO-247-4L - 202W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FF06030J-7A

FF06030J-7A

SICFET N-CH 650V 74A TO-263-7L

fastSiC

300 -
FF06030J-7A

数据表

Falcon TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 74A (Tc) 18V 45mOhm @ 30A, 18V Surface Mount 2.5V @ 40mA 125 nC @ 15 V 650 V 18V 3015 pF @ 400 V AEC-Q101 - D2PAK-7L Automotive 268W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户