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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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7N65F

7N65F

MOSFET N-CH 650V 7A TO220F

EVVO

129 -
7N65F

数据表

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 3.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V 650 V ±30V 1000 pF @ 25 V - - ITO-220AB - 148W (Tc) 150°C (TJ)
NTF2955T1G-EV

NTF2955T1G-EV

MOSFET P-CH 60V 7A SOT223

EVVO

2,490 -
NTF2955T1G-EV

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.8A (Ta), 7A (Tc) 4.5V, 10V 55mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 56 nC @ 10 V 60 V ±20V 1500 pF @ 25 V - - SOT-223-3L - 2.1W (Ta), 10.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
10N65F

10N65F

MOSFET N-CH 650V 10A TO220F

EVVO

122 -
10N65F

数据表

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V 650 V ±30V 1037 pF @ 25 V - - ITO-220AB - 50W -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS138

BSS138

MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3

EVVO

517 -
BSS138

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200mA (Ta) 10V 3.5Ohm @ 220mA, 10V Surface Mount 1.5V @ 250µA - 50 V ±20V 50 pF @ 10 V - - SOT-23 - 300mW (Ta) 150°C (TJ)
4N60F

4N60F

MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

EVVO

185 -
4N60F

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 10V 2.8Ohm @ 1.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V 600 V ±30V 462 pF @ 25 V - - TO-220F - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS84

BSS84

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3

EVVO

9,236 -
BSS84

数据表

- - Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2N7002

2N7002

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3

EVVO

6,884 -
2N7002

数据表

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 115mA (Ta) 5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA - 60 V 20V 50 pF @ 25 V - - SOT-23 - 225mW (Ta) 150°C (TJ)
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