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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDV301N

FDV301N

MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23

EVVO

1,303 -
FDV301N

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Ta), 6A (Tc) 1.8V, 4.5V 28mOhm @ 5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 18 nC @ 5 V 20 V ±12V 865 pF @ 10 V - - SOT-23 - 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDV304P-EV

FDV304P-EV

MOSFET P-CH 25V SOT23

EVVO

3,000 -
FDV304P-EV

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 65mOhm @ 4A, 4.5V Surface Mount 1.3V @ 250µA 9.4 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 954 pF @ 15 V - - SOT-23 - 1.4W (Ta) 150°C (TJ)
FDN340P-EV

FDN340P-EV

MOSFET P-CH 20V 2A SOT-23

EVVO

3,000 -
FDN340P-EV

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Ta) 1.8V, 4.5V 70mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 8 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 600 pF @ 10 V - - SOT-23 - 1.1W (Ta) 150°C (TJ)
FDN338P-EV

FDN338P-EV

MOSFET P-CH 20V 1.6A SOT-23

EVVO

3,000 -
FDN338P-EV

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 112mOhm @ 2.8A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 405 pF @ 10 V - - SOT-23 - 400mW (Ta) 150°C (TJ)
FDN304P-EV

FDN304P-EV

MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT-23

EVVO

3,000 -
FDN304P-EV

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.4A (Ta) 1.8V, 4.5V 52mOhm @ 2.4A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 20 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 1312 pF @ 10 V - - SOT-23 - 460mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDN335N-EV

FDN335N-EV

MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT-23

EVVO

2,990 -
FDN335N-EV

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.7A (Ta) 2.5V, 4.5V 70mOhm @ 1.7A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 3.5 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 310 pF @ 10 V - - SOT-23 - 1W (Ta) 150°C (TJ)
NDS331N-EV

NDS331N-EV

MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT-23

EVVO

3,000 -
NDS331N-EV

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 60mOhm @ 2.3A, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 5 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 260 pF @ 10 V - - SOT-23 - 900mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR024

IRFR024

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

EVVO

2,453 -
IRFR024

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.6A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 26mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 12.6 nC @ 4.5 V 60 V ±20V 1378 pF @ 15 V - - TO-252-2L - 2W (Ta), 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDN337N-EV

FDN337N-EV

MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT-23

EVVO

2,999 -
FDN337N-EV

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 65mOhm @ 2.2A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V 30 V ±8V 300 pF @ 10 V - - SOT-23 - 460mW (Ta) 150°C (TJ)
FDC5614P-EV

FDC5614P-EV

MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

EVVO

3,000 -
FDC5614P-EV

数据表

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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