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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
2SK1482-T-AZ

2SK1482-T-AZ

SMALL SIGNAL FET

NEC Corporation

2,162 -
2SK1482-T-AZ

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.5A (Ta) 4V, 10V 400mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 2.5V @ 1mA - 30 V ±20V 230 pF @ 10 V - - TO-92 - 750W (Ta) 150°C
2SK4070-ZK-E2-AY

2SK4070-ZK-E2-AY

N-CHANNEL MOSFET

NEC Corporation

2,500 -
2SK4070-ZK-E2-AY

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Tc) 10V 11Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 3.5V @ 1mA 5 nC @ 10 V 600 V ±30V 110 pF @ 10 V - - TO-252 (MP-3ZK) - 1W (Ta), 22W (Tc) 150°C
2SK4076-ZK-E1-AY

2SK4076-ZK-E1-AY

N-CHANNEL MOSFET

NEC Corporation

2,500 -
2SK4076-ZK-E1-AY

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 17.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 24 nC @ 10 V 40 V ±20V 1200 pF @ 10 V - - TO-252 (MP-3ZK) - 1W (Ta), 26W (Tc) 150°C
NP32N055SHE-E1-AZ

NP32N055SHE-E1-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

NEC Corporation

4,900 -
NP32N055SHE-E1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK3634-Z-AZ

2SK3634-Z-AZ

6A, 200V, N-CHANNEL MOSFET

NEC Corporation

8,307 -
2SK3634-Z-AZ

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 4.5V @ 1mA 9 nC @ 10 V 200 V ±30V 270 pF @ 10 V - - TO-252 - 1W (Ta), 20W (Tc) 150°C
NP80N055MDG-S18-AY

NP80N055MDG-S18-AY

MOSFET N-CH 55V 80A TO220

NEC Corporation

6,300 -
NP80N055MDG-S18-AY

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) - 6.9mOhm @ 40A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V 55 V - 6900 pF @ 25 V - - TO-220 - 1.8W (Ta), 115W (Tc) 175°C (TJ)
2SK3058-Z-E1-AZ

2SK3058-Z-E1-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

NEC Corporation

1,000 -
2SK3058-Z-E1-AZ

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55A 4V, 10V 17mOhm @ 28A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 45 nC @ 10 V 60 V 20V 2100 pF @ 10 V - - TO-263, TO-220SMD - 1.5W -55°C ~ 150°C
NP80N04NDG-S18-AY

NP80N04NDG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 80A TO262

NEC Corporation

1,400 -
NP80N04NDG-S18-AY

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) - 4.8mOhm @ 40A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V 40 V ±20V 6900 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-262 Automotive 1.8W (Ta), 115W (Tc) 175°C
NP80N04NLG-S18-AY

NP80N04NLG-S18-AY

MOSFET N-CH 40V 80A TO262

NEC Corporation

750 -
NP80N04NLG-S18-AY

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) - 4.8mOhm @ 40A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V 40 V - 6900 pF @ 25 V - - TO-262 - 1.8W (Ta), 115W (Tc) 175°C (TJ)
NP80N03MDE-S18-AY

NP80N03MDE-S18-AY

80A, 30V, 0.011OHM, N-CHANNEL ,

NEC Corporation

700 -
NP80N03MDE-S18-AY

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 40A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V 30 V ±20V 3900 pF @ 25 V - - MP-25K - 1.8W (Ta), 120W (Tc) 175°C
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