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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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AMRA10N

AMRA10N

MOSFET N-CH 100V 62.7A DFN5X6

Analog Power Inc.

500 -
AMRA10N

数据表

- 8-PowerVDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12.4A (Ta), 62.7A (Tc) 6.5V, 10V 11mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 21 nC @ 6.5 V 100 V ±20V 1248 pF @ 50 V - - 8-DFN (5x6) - 2.5W (Ta), 64.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
AM30P20-500P

AM30P20-500P

MOSFET P-CH -200V 30A TO-220

Analog Power Inc.

800 -
AM30P20-500P

数据表

- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 5.5V, 10V 500mOhm @ 28A, 10V Through Hole 1V @ 250µA 28 nC @ 5.5 V 200 V ±20V 1852 pF @ 15 V - - TO-220AB - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AM7432N-CT

AM7432N-CT

MOSFET N-CH 30V 27A DFN5x6

Analog Power Inc.

1,000 -
AM7432N-CT

数据表

- DFN5x6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 27A (Ta) 2.5V, 4.5V 5.9mOhm @ 19.1A, 2.5V Surface Mount 400mV @ 250µA (Min) 43 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 5146 pF @ 15 V - - DFN5x6 - 5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
AMS441P

AMS441P

MOSFET P-CH -40V 50A DFN3X3

Analog Power Inc.

100 -
AMS441P

数据表

- 8-PowerWDFN Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Ta), 50A (Tc) 4.5V, 10V 7.5mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 70 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 4147 pF @ 15 V - - 8-DFN (3.3x3.3) - 4.6W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AM70N25-50B

AM70N25-50B

MOSFET N-CH 250V 62A TO-263

Analog Power Inc.

40 -
AM70N25-50B

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AMTP65H150G4LSGB

AMTP65H150G4LSGB

GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8

Analog Power Inc.

35 -
AMTP65H150G4LSGB

数据表

- 4-PowerTSFN Bulk Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 13A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 8.8 nC @ 6 V 650 V ±18V 760 pF @ 400 V - - 4-DFN (8x8) - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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