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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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AM90N04-02P

AM90N04-02P

MOSFET N-CH 40V 232A TO-220

Analog Power Inc.

2,200 -
AM90N04-02P

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 232A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 45A, 10V Through Hole 1V @ 250µA 65 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 7019 pF @ 15 V - - TO-220AB - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AM90P06-20B

AM90P06-20B

MOSFET P-CH 60V 90A TO-263

Analog Power Inc.

600 -
AM90P06-20B

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 53 nC @ 4.5 V 60 V ±20V 2156 pF @ 15 V - - TO-263 - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AM110P06-06B

AM110P06-06B

MOSFET P-CH -60V 90A TO-263

Analog Power Inc.

1,000 -
AM110P06-06B

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Ta) 4.5V, 10V 6mOhm @ 90A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 162 nC @ 4.5 V 60 V ±20V 18517 pF @ 15 V - - TO-263 - 300W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
AMR440N

AMR440N

MOSFET N-CH 40V 100A DFN5X6

Analog Power Inc.

2,000 -
AMR440N

数据表

- 8-PowerVDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 66 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 7019 pF @ 15 V - - 8-DFN (5x6) - 5W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
AM90N04-02B

AM90N04-02B

MOSFET N-CH 40V 120A TO-263

Analog Power Inc.

1,000 -
AM90N04-02B

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
AM90N10-07B

AM90N10-07B

MOSFET N-CH 100V 90A TO-263

Analog Power Inc.

200 -
AM90N10-07B

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 5.5V, 10V 7mOhm @ 45A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 114 nC @ 5.5 V 100 V ±20V 9235 pF @ 15 V - - TO-263 - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AMC3M0040120D

AMC3M0040120D

SICFET N-CH 1200V 15A TO-247

Analog Power Inc.

750 -
AMC3M0040120D

数据表

* TO-247-3 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 15A (Tc) 15V, 20V 40mOhm @ 5A, 10V Through Hole 2V @ 250µA (Min) - - ±25V - - - TO-247 - 500W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ)
AMC2M0025120D

AMC2M0025120D

SICFET N-CH 1200V 20A TO-247

Analog Power Inc.

500 -
AMC2M0025120D

数据表

* TO-247-3 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 20A (Tc) 15V, 20V 25mOhm @ 5A, 10V Through Hole 2V @ 250µA (Min) - - ±25V - - - TO-247 - 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AM2358N

AM2358N

MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT-23

Analog Power Inc.

115 -
AM2358N

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.1A (Ta) 4.5V, 10V 92mOhm @ 2.8A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 4 nC @ 4.5 V 60 V ±20V 330 pF @ 15 V - - SOT-23 - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
AM40N04-30D

AM40N04-30D

MOSFET N-CH 40V 33A TO-252

Analog Power Inc.

980 -
AM40N04-30D

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 33A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 33A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 3 nC @ 5.5 V 40 V ±20V 186 pF @ 15 V - - TO-252 - 50W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
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