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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFK50N50

IXFK50N50

MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA

IXYS

8,442 -
IXFK50N50

数据表

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 10V 80mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4.5V @ 8mA 330 nC @ 10 V 500 V ±20V 9400 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFK24N90Q

IXFK24N90Q

MOSFET N-CH 900V 24A TO264AA

IXYS

6,375 -
IXFK24N90Q

数据表

HiPerFET™, Q Class TO-264-3, TO-264AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 450mOhm @ 500mA, 10V Through Hole 4.5V @ 4mA 170 nC @ 10 V 900 V ±20V 5900 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX24N100

IXFX24N100

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247

IXYS

3,481 -
IXFX24N100

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Variant Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 390mOhm @ 12A, 10V Through Hole 5.5V @ 8mA 267 nC @ 10 V 1000 V ±20V 8700 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
MKH24I650HR

MKH24I650HR

DISCMSFT NCHSUPRJUNCCFD-CLS ISO2

IXYS

5,994 -
MKH24I650HR

数据表

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFK26N90

IXFK26N90

MOSFET N-CH 900V 26A TO-264

IXYS

6,822 -
IXFK26N90

数据表

HiPerFET™ TO-264-3, TO-264AA Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 26A (Tc) 10V 300mOhm @ 13A, 10V Through Hole 5V @ 8mA 240 nC @ 10 V 900 V ±20V 10800 pF @ 25 V - - TO-264AA (IXFK) - 560W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFR24N100

IXFR24N100

MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247

IXYS

7,102 -
IXFR24N100

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 22A (Tc) 10V 390mOhm @ 12A, 10V Through Hole 5.5V @ 8mA 267 nC @ 10 V 1000 V ±20V 8700 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFE48N50Q

IXFE48N50Q

MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B

IXYS

6,266 -
IXFE48N50Q

数据表

HiPerFET™, Q Class SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 41A (Tc) 10V 110mOhm @ 24A, 10V Chassis Mount 4V @ 4mA 190 nC @ 10 V 500 V ±20V 7000 pF @ 25 V - - SOT-227B - 400W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ)
IXFR34N80

IXFR34N80

MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247

IXYS

8,146 -
IXFR34N80

数据表

HiPerFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Tc) 10V 240mOhm @ 17A, 10V Through Hole 4V @ 8mA 270 nC @ 10 V 800 V ±20V 7500 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
LSIC1MO120T0080-TU

LSIC1MO120T0080-TU

1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7

IXYS

8,986 -
LSIC1MO120T0080-TU

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 39A (Tc) - - Surface Mount - - 1200 V - - - - TO-263-7 - - -
IXTD5N100A

IXTD5N100A

MOSFET N-CH 1000V 5A DIE

IXYS

2,971 -
IXTD5N100A

数据表

- Die Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tc) - - Surface Mount - - 1000 V - - - - Die - - -
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