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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IXFX110N65X3

IXFX110N65X3

DISCRETE MOSFET 110A 650V X3 PLU

Littelfuse Inc.

5,710 -
IXFX110N65X3

数据表

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFT44N50Q3

IXFT44N50Q3

MOSFET N-CH 500V 44A TO268

Littelfuse Inc.

3,328 -
IXFT44N50Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44A (Tc) 10V 140mOhm @ 22A, 10V Surface Mount 6.5V @ 4mA 93 nC @ 10 V 500 V ±30V 4800 pF @ 25 V - - TO-268AA - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT18N100Q3

IXFT18N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 18A TO268

Littelfuse Inc.

7,226 -
IXFT18N100Q3

数据表

HiPerFET™, Q3 Class TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 10V 660mOhm @ 9A, 10V Surface Mount 6.5V @ 4mA 90 nC @ 10 V 1000 V ±30V 4890 pF @ 25 V - - TO-268AA - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTR140P10T

IXTR140P10T

MOSFET P-CH 100V 110A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

9,053 -
IXTR140P10T

数据表

TrenchP™ TO-247-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 110A (Tc) 10V 13mOhm @ 70A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 400 nC @ 10 V 100 V ±15V 31400 pF @ 25 V - - ISOPLUS247™ - 270W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFT16N120P-TRL

IXFT16N120P-TRL

MOSFET N-CH 1200V 16A TO268

Littelfuse Inc.

7,260 -
IXFT16N120P-TRL

数据表

HiPerFET™, Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 950mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 6.5V @ 1mA 120 nC @ 10 V 1200 V ±30V 6900 pF @ 25 V - - TO-268 - 660W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH30N25L2

IXTH30N25L2

MOSFET N-CH 250V 30A TO247

Littelfuse Inc.

3,100 -
IXTH30N25L2

数据表

Linear L2™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V 250 V ±20V 3200 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 355W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTT10N100D

IXTT10N100D

MOSFET N-CH 1000V 10A TO268

Littelfuse Inc.

9,220 -
IXTT10N100D

数据表

Depletion TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 10A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V 1000 V ±30V 2500 pF @ 25 V - - TO-268AA - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTT38N30L2HV

IXTT38N30L2HV

MOSFET N-CH 300V 38A TO268HV

Littelfuse Inc.

4,297 -
IXTT38N30L2HV

数据表

Linear L2™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 38A (Tc) 10V 100mOhm @ 19A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 260 nC @ 10 V 300 V ±20V 7200 pF @ 25 V - - TO-268HV (IXTT) - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXTH10N100D

IXTH10N100D

MOSFET N-CH 1000V 10A TO247

Littelfuse Inc.

8,159 -
IXTH10N100D

数据表

Depletion TO-247-3 Tube Active N-Channel, Depletion Mode MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 10A, 10V Through Hole 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V 1000 V ±30V 2500 pF @ 25 V - - TO-247 (IXTH) - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IXFX32N90P

IXFX32N90P

MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

7,480 -
IXFX32N90P

数据表

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 32A (Tc) 10V 300mOhm @ 16A, 10V Through Hole 6.5V @ 1mA 215 nC @ 10 V 900 V ±30V 10600 pF @ 25 V - - PLUS247™-3 - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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