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    场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗（最大值） 工作温度

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    VS-FC80NA20

    VS-FC80NA20

    MOSFET N-CH 200V 108A SOT227

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

    		 2,936 -
    询价单
    		VS-FC80NA20

    数据表

         		- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 108A (Tc) 10V 14mOhm @ 80A, 10V Chassis Mount 5.5V @ 250µA 161 nC @ 10 V 200 V ±30V 10720 pF @ 50 V - - SOT-227 - 405W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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