APSEMI|场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 3

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
AC3M0032120D SIC MOSFET N-CH 1200V 64A TO247- APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	64A	15V	43mOhm @ 40A, 15V	Through Hole	3.6V @ 11.5mA	-	1200 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-3	-	283W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC3M0065090D SIC MOSFET N-CH 900V 37A TO247-3 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	37A	15V	78mOhm @ 20A, 15V	Through Hole	3.5V @ 5mA	-	900 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-3	-	125W	-55°C ~ 150°C
AC3M0065100K SIC MOSFET N-CH 1000V 33A TO247- APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	33A	15V	78mOhm @ 20A, 15V	Through Hole	3.5V @ 5mA	-	1000 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-4	-	113.5W (Tc)	-55°C ~ 150°C
AC3M0032120K SIC MOSFET N-CH 1200V 64A TO247- APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	64A	15V	43mOhm @ 40A, 15V	Through Hole	3.6V @ 11.5mA	-	1200 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-4	-	283W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC3M0025065K SIC MOSFET N-CH 650V 74A TO247-4 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	74A	15V	34mOhm @ 33.5A, 15V	Through Hole	3.6V @ 9.22mA	-	650 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-4	-	326W	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC3M0030090K SIC MOSFET N-CH 900V 74A TO247-4 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	74A	15V	39mOhm @ 35A, 15V	Through Hole	3.5V @ 11mA	-	900 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-4	-	240W	-40°C ~ 150°C (TJ)
AC2M0025120D SIC MOSFET N-CH 1200V 92A TO247- APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	92A	20V	34mOhm @ 50A, 20V	Through Hole	4V @ 15mA	-	1200 V	+25V, -10V	-	-	-	TO-247-3	-	378W (Tc)	-55°C ~ 150°C
AC3M0025065D SIC MOSFET N-CH 650V 98A TO247-3 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	98A	15V	34mOhm @ 33.5A, 15V	Through Hole	3.6V @ 9.22mA	-	650 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-3	-	326W	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC3M0021120K SIC MOSFET N-CH 1200V 102A TO247 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	102A (Tc)	15V	28.8mOhm @ 50A, 15V	Through Hole	3.6V @ 17.7mA	-	1200 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-4	-	469W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC3M0021120D SIC MOSFET N-CH 1200V 117A TO247 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	82A	15V	28.8mOhm @ 50A, 15V	Through Hole	3.6V @ 17.7mA	-	1200 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-3	-	469W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)

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