APSEMI|场效应晶体管（FETs）、MOSFETs - 页 2

厂商料号	库存情况	价格	数量	数据表	系列	封装/外壳	包装	产品状态	FET 类型	技术	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻）	导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs	安装类型	栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id	栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs	漏极到源极电压 (Vdss)	栅极电压 (Vgs)（最大值）	输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds	认证	FET 特性	供应商设备封装	等级	功耗（最大值）	工作温度
AC3M0120065D SIC MOSFET N-CH 650V 23A TO247-3 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	23A	15V	157mOhm @ 6.76A, 15V	Through Hole	3.6V @ 1.86mA	-	650 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-3	-	98W (Tc)	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC3M0120090D SIC MOSFET N-CH 900V 24A TO247-3 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	24A	15V	155mOhm @ 15A, 15V	Through Hole	3.5V @ 3mA	-	900 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-3	-	97W (Tc)	-55°C ~ 150°C
AC3M0075120D SIC MOSFET N-CH 1200V 33A TO247- APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	33A	15V	90mOhm @ 20A, 15V	Through Hole	3.6V @ 5mA	-	1200 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-3	-	136W	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC3M0060065K SIC MOSFET N-CH 650V 38A TO247-4 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	38A	15V	79mOhm @ 13.2A, 15V	Through Hole	3.6V @ 5mA	-	650 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-4	-	150W	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC3M0060065D SIC MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	30A	15V	79mOhm @ 13.2A, 15V	Through Hole	3.6V @ 5mA	-	650 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-3	-	150W	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC3M0045065D SIC MOSFET N-CH 650V 50A TO247-3 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	50A	15V	60mOhm @ 17.6A, 15V	Through Hole	3.6V @ 4.84mA	-	650 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-3	-	176W	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC3M0045065K SIC MOSFET N-CH 650V 50A TO247-4 APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	50A	15V	60mOhm @ 17.6A, 15V	Through Hole	3.6V @ 4.84mA	-	650 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-4	-	176W	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC3M0040120K SIC MOSFET N-CH 1200V 67A TO247- APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-4	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	67A	15V	53.5mOhm @ 33.3A, 15V	Through Hole	3.6V @ 9.2mA	-	1200 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-4	-	326W	-40°C ~ 175°C (TJ)
AC2M0040120D SIC MOSFET N-CH 1200V 57A TO247- APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	57A	20V	52mOhm @ 40A, 20V	Through Hole	4V @ 10mA	-	1200 V	+25V, -10V	-	-	-	TO-247-3	-	278W (Tc)	-55°C ~ 150°C
AC3M0040120D SIC MOSFET N-CH 1200V 67A TO247- APSEMI	10,000	-	询价单	数据表	*	TO-247-3	Tube	Active	N-Channel	SiCFET (Silicon Carbide)	67A	15V	53.5mOhm @ 33.3A, 15V	Through Hole	3.6V @ 9.5mA	-	1200 V	+19V, -8V	-	-	-	TO-247-3	-	326W	-40°C ~ 175°C (TJ)

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