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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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CSD17313Q2Q1

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MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

Texas Instruments

2,788 -
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数据表

NexFET™ 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tc) 3V, 8V 30mOhm @ 4A, 8V Surface Mount 1.8V @ 250µA 2.7 nC @ 4.5 V 30 V +10V, -8V 340 pF @ 15 V - - 6-WSON (2x2) - 2.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD25201W15

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MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

Texas Instruments

7,713 -
CSD25201W15

数据表

NexFET™ 9-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Ta) 1.8V, 4.5V 40mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.1V @ 250µA 5.6 nC @ 4.5 V 20 V -6V 510 pF @ 10 V - - 9-DSBGA - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD25303W1015

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MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

Texas Instruments

6,811 -
CSD25303W1015

数据表

NexFET™ 6-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 1.8V, 4.5V 58mOhm @ 1.5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 4.3 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 435 pF @ 10 V - - 6-DSBGA (1x1.5) - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
TPIC5223LD

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SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Texas Instruments

1,177 -
TPIC5223LD

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
TPIC2322LD

TPIC2322LD

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Texas Instruments

330 -
TPIC2322LD

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
CSD17552Q5A

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MOSFET N-CH 30V 17A/60A 8VSON

Texas Instruments

4,925 -
CSD17552Q5A

数据表

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Ta), 60A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 1.9V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 2050 pF @ 15 V - - 8-VSONP (5x6) - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD25202W15T

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MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

Texas Instruments

1,450 -
CSD25202W15T

数据表

NexFET™ 9-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Ta) 1.8V, 4.5V 26mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.05V @ 250µA 7.5 nC @ 4.5 V 20 V -6V 1010 pF @ 10 V - - 9-DSBGA - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17579Q3AT

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MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON

Texas Instruments

4,869 -
CSD17579Q3AT

数据表

NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Ta) 4.5V, 10V 10.2mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 1.9V @ 250µA 15 nC @ 10 V 30 V ±20V 998 pF @ 15 V - - 8-VSONP (3x3.3) - 3.2W (Ta), 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD16321Q5T

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25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS

Texas Instruments

530 -
CSD16321Q5T

数据表

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 29A (Ta), 100A (Tc) 3V, 8V 2.4mOhm @ 25A, 8V Surface Mount 1.4V @ 250µA 19 nC @ 4.5 V 25 V +10V, -8V 3100 pF @ 12.5 V - - 8-VSON-CLIP (5x6) - 3.1W (Ta), 113W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
CSD17578Q5AT

CSD17578Q5AT

MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

Texas Instruments

1,413 -
CSD17578Q5AT

数据表

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Ta) 4.5V, 10V 6.9mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 1.9V @ 250µA 22.3 nC @ 10 V 30 V ±20V 1510 pF @ 15 V - - 8-VSONP (5x6) - 3.1W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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