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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STP16N65M2

STP16N65M2

MOSFET N-CH 650V 11A TO220

STMicroelectronics

7,666 -
STP16N65M2

数据表

MDmesh™ M2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V 650 V ±25V 718 pF @ 100 V - - TO-220 - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB16NS25T4

STB16NS25T4

MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK

STMicroelectronics

6,362 -
STB16NS25T4

数据表

MESH OVERLAY™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 280mOhm @ 8A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V 250 V ±20V 1270 pF @ 25 V - - D2PAK - 140W (Tc) 175°C (TJ)
STP75NS04Z

STP75NS04Z

MOSFET N-CH 33V 80A TO220AB

STMicroelectronics

7,491 -
STP75NS04Z

数据表

MESH OVERLAY™ III TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 11mOhm @ 40A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V 33 V Clamped 1860 pF @ 25 V - - TO-220 - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STP26N65DM2

STP26N65DM2

MOSFET N-CH 650V 20A TO220

STMicroelectronics

858 -
STP26N65DM2

数据表

MDmesh™ DM2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 35.5 nC @ 10 V 650 V ±25V 1480 pF @ 100 V - - TO-220 - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STT7P2UH7

STT7P2UH7

MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6

STMicroelectronics

2,400 -
STT7P2UH7

数据表

STripFET™ SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Tc) 1.5V, 4.5V 22.5mOhm @ 3.5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 22 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 2390 pF @ 16 V - - SOT-23-6 - 1.6W (Tc) 150°C (TJ)
STU60N55F3

STU60N55F3

MOSFET N-CH 55V 80A IPAK

STMicroelectronics

9,646 -
STU60N55F3

数据表

STripFET™ III TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 8.5mOhm @ 32A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V 55 V ±20V 2200 pF @ 25 V - - IPAK - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STF20N60M2-EP

STF20N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP

STMicroelectronics

9,794 -
STF20N60M2-EP

数据表

MDmesh™ M2-EP TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Tc) 10V - Through Hole 4.75V @ 250µA 22 nC @ 10 V 600 V ±25V - - - TO-220FP - - 150°C (TJ)
STP3NB100

STP3NB100

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

STMicroelectronics

9,215 -
STP3NB100

数据表

PowerMESH™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 10V 6Ohm @ 1.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V 1000 V ±30V 700 pF @ 25 V - - TO-220 - 100W (Tc) 150°C (TJ)
STP7NM60N

STP7NM60N

MOSFET N-CH 600V 5A TO220

STMicroelectronics

8,877 -
STP7NM60N

数据表

MDmesh™ II TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V 600 V ±25V 363 pF @ 50 V - - TO-220 - 45W (Tc) 150°C (TJ)
STW8NK80Z

STW8NK80Z

MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3

STMicroelectronics

618 -
STW8NK80Z

数据表

SuperMESH™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.2A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 3.1A, 10V Through Hole 4.5V @ 100µA 46 nC @ 10 V 800 V ±30V 1320 pF @ 25 V - - TO-247-3 - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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