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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STU90N4F3

STU90N4F3

MOSFET N-CH 40V 80A IPAK

STMicroelectronics

5,406 -
STU90N4F3

数据表

STripFET™ III TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V 40 V ±20V 2200 pF @ 25 V - - IPAK - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STP5N52K3

STP5N52K3

MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220

STMicroelectronics

2,098 -
STP5N52K3

数据表

SuperMESH3™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.4A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Through Hole 4.5V @ 50µA 14 nC @ 10 V 525 V ±30V 450 pF @ 100 V - - TO-220 - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STD10PF06T4

STD10PF06T4

MOSFET P-CH 60V 10A DPAK

STMicroelectronics

9,213 -
STD10PF06T4

数据表

STripFET™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 200mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V 60 V ±20V 850 pF @ 25 V - - DPAK - 40W (Tc) 175°C (TJ)
STB70N10F4

STB70N10F4

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

STMicroelectronics

2,764 -
STB70N10F4

数据表

DeepGATE™, STripFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65A (Tc) 10V 19.5mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 85 nC @ 10 V 100 V ±20V 5800 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STP6N80K5

STP6N80K5

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220

STMicroelectronics

3,416 -
STP6N80K5

数据表

SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V Through Hole 5V @ 100µA 7.5 nC @ 10 V 800 V 30V 255 pF @ 100 V - - TO-220 - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STD13N60M6

STD13N60M6

MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

STMicroelectronics

6,790 -
STD13N60M6

数据表

MDmesh™ M6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 380mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 4.75V @ 250µA 13 nC @ 10 V 600 V ±25V 509 pF @ 100 V - - TO-252 (DPAK) - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STU95N4F3

STU95N4F3

MOSFET N-CH 40V 80A IPAK

STMicroelectronics

7,511 -
STU95N4F3

数据表

STripFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V 40 V ±20V 2200 pF @ 25 V - - IPAK - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STI13NM60N

STI13NM60N

MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

STMicroelectronics

7,971 -
STI13NM60N

数据表

MDmesh™ II TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V 600 V ±25V 790 pF @ 50 V - - I2PAK - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STW30N20

STW30N20

MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3

STMicroelectronics

8,305 -
STW30N20

数据表

STripFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) - 75mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V 200 V - 1597 pF @ 25 V - - TO-247-3 - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STI18N60M2

STI18N60M2

MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK

STMicroelectronics

3,591 -
STI18N60M2

数据表

* - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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