富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
STB24N60DM2

STB24N60DM2

MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK

STMicroelectronics

5,210 -
STB24N60DM2

数据表

FDmesh™ II Plus TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 10V 200mOhm @ 9A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 29 nC @ 10 V 600 V ±25V 1055 pF @ 100 V - - TO-263 (D2PAK) - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB26N60M2

STB26N60M2

MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK

STMicroelectronics

8,139 -
STB26N60M2

数据表

MDmesh™ M2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 165mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V 600 V ±25V 1360 pF @ 100 V - - D2PAK - 169W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STW30N80K5

STW30N80K5

MOSFET N-CH 800V 24A TO247-3

STMicroelectronics

4,573 -
STW30N80K5

数据表

MDmesh™ K5 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 180mOhm @ 12A, 10V Through Hole 5V @ 100µA 43 nC @ 10 V 800 V ±30V 1530 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STL22N65M5

STL22N65M5

MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV

STMicroelectronics

4,446 -
STL22N65M5

数据表

MDmesh™ V 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 210mOhm @ 8.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V 650 V ±25V 1345 pF @ 100 V - - PowerFlat™ (8x8) HV - 2.8W (Ta), 110W (Tc) 150°C (TJ)
STW27N60M2-EP

STW27N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3

STMicroelectronics

6,512 -
STW27N60M2-EP

数据表

MDmesh™ M2-EP TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 163mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4.75V @ 250µA 33 nC @ 10 V 600 V ±25V 1320 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STLD200N4F6AG

STLD200N4F6AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

STMicroelectronics

9,225 -
STLD200N4F6AG

数据表

STripFET™ F6 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 6.5V, 10V 1.5mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 172 nC @ 10 V 40 V ±20V 10700 pF @ 10 V AEC-Q101 - PowerFlat™ (5x6) Dual Side Automotive 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STP10LN80K5

STP10LN80K5

MOSFET N-CH 800V 8A TO220

STMicroelectronics

4,803 -
STP10LN80K5

数据表

MDmesh™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 630mOhm @ 4A, 10V Through Hole 5V @ 100µA 15 nC @ 10 V 800 V ±30V 427 pF @ 100 V - - TO-220 - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB8NM60T4

STB8NM60T4

MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK

STMicroelectronics

4,988 -
STB8NM60T4

数据表

MDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 1Ohm @ 2.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 18 nC @ 10 V 650 V ±30V 400 pF @ 25 V - - D2PAK - 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STF24NM60N

STF24NM60N

MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP

STMicroelectronics

8,038 -
STF24NM60N

数据表

MDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Tc) 10V 190mOhm @ 8A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 46 nC @ 10 V 600 V ±30V 1400 pF @ 50 V - - TO-220FP - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB10N95K5

STB10N95K5

MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK

STMicroelectronics

5,499 -
STB10N95K5

数据表

SuperMESH5™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 800mOhm @ 4A, 10V Surface Mount 5V @ 100µA 22 nC @ 10 V 950 V ±30V 630 pF @ 100 V - - TO-263 (D2PAK) - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户