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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STP65NF06

STP65NF06

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

STMicroelectronics

7,309 -
STP65NF06

数据表

STripFET™ II TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60A (Tc) 10V 14mOhm @ 30A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 75 nC @ 10 V 60 V ±20V 1700 pF @ 25 V - - TO-220 - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STWA75N65DM6

STWA75N65DM6

N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7

STMicroelectronics

14 -
STWA75N65DM6

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 36mOhm @ 37.5A, 10V Through Hole 4.75V @ 250µA 118 nC @ 10 V 650 V ±25V 5700 pF @ 100 V - - TO-247 Long Leads - 480W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STW78N65M5

STW78N65M5

MOSFET N-CH 650V 69A TO247

STMicroelectronics

59 -
STW78N65M5

数据表

MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 69A (Tc) 10V 32mOhm @ 34.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 203 nC @ 10 V 650 V ±25V 9000 pF @ 100 V AEC-Q101 - TO-247-3 Automotive 450W (Tc) 150°C (TJ)
SCTWA90N65G2V

SCTWA90N65G2V

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

8 -
SCTWA90N65G2V

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 119A (Tc) 18V 24mOhm @ 50A, 18V Through Hole 5V @ 1mA 157 nC @ 18 V 650 V +22V, -10V 3380 pF @ 400 V - - TO-247 Long Leads - 565W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ)
STW30NF20

STW30NF20

MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3

STMicroelectronics

2,358 -
STW30NF20

数据表

STripFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 75mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V 200 V ±20V 1597 pF @ 25 V - - TO-247-3 - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STF80N600K6

STF80N600K6

N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,

STMicroelectronics

26 -
STF80N600K6

数据表

ECOPACK® TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V Through Hole 4V @ 100µA 10.7 nC @ 10 V 800 V ±30V 540 pF @ 400 V - - TO-220FP - 23W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SCT055TO65G3

SCT055TO65G3

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

88 -
SCT055TO65G3

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
STW65N045M9-4

STW65N045M9-4

N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5

STMicroelectronics

90 -
STW65N045M9-4

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 54A (Tc) 10V 45mOhm @ 28A, 10V Through Hole 4.2V @ 250µA 80 nC @ 10 V 650 V ±30V 4610 pF @ 400 V - - TO-247-4 - 312W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SCT040TO65G3

SCT040TO65G3

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

STMicroelectronics

100 -
SCT040TO65G3

数据表

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SCT040W65G3-4AG

SCT040W65G3-4AG

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

STMicroelectronics

75 -
SCT040W65G3-4AG

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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