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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STH180N10F3-2

STH180N10F3-2

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

STMicroelectronics

614 -
STH180N10F3-2

数据表

STripFET™ III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 60A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 114.6 nC @ 10 V 100 V ±20V 6665 pF @ 25 V - - H2PAK-2 - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STW37N60DM2AG

STW37N60DM2AG

MOSFET N-CH 600V 28A TO247

STMicroelectronics

600 -
STW37N60DM2AG

数据表

MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Tc) 10V 110mOhm @ 14A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 54 nC @ 10 V 600 V ±25V 2400 pF @ 100 V AEC-Q101 - TO-247-3 Automotive 210W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STW33N60DM2

STW33N60DM2

MOSFET N-CH 600V 24A TO247

STMicroelectronics

513 -
STW33N60DM2

数据表

MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 130mOhm @ 12A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 43 nC @ 10 V 600 V ±25V 1870 pF @ 100 V - - TO-247-3 - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB33N60DM6

STB33N60DM6

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK

STMicroelectronics

254 -
STB33N60DM6

数据表

MDmesh™ M6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 10V 128mOhm @ 12.5A, 10V Surface Mount 4.75V @ 250µA 35 nC @ 10 V 600 V ±25V 1500 pF @ 100 V - - TO-263 (D2PAK) - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STF20NF06L

STF20NF06L

MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP

STMicroelectronics

4,103 -
STF20NF06L

数据表

STripFET™ II TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 5V, 10V 70mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V 60 V ±18V 400 pF @ 25 V - - TO-220FP - 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STP60N3LH5

STP60N3LH5

MOSFET N-CH 30V 48A TO220AB

STMicroelectronics

2,932 -
STP60N3LH5

数据表

STripFET™ V TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 48A (Tc) 5V, 10V 8.4mOhm @ 24A, 10V Through Hole 3V @ 250µA 8.8 nC @ 5 V 30 V ±20V 1350 pF @ 25 V - - TO-220 - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STB20NM50T4

STB20NM50T4

MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK

STMicroelectronics

698 -
STB20NM50T4

数据表

MDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 56 nC @ 10 V 550 V ±30V 1480 pF @ 25 V - - D2PAK - 192W (Tc) -65°C ~ 150°C (TJ)
STD50N03L-1

STD50N03L-1

MOSFET N-CH 30V 40A IPAK

STMicroelectronics

6,951 -
STD50N03L-1

数据表

STripFET™ III TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 5V, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V Through Hole 1V @ 250µA 14 nC @ 5 V 30 V ±20V 1434 pF @ 25 V - - IPAK - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STB36N60M6

STB36N60M6

MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

STMicroelectronics

944 -
STB36N60M6

数据表

MDmesh™ M6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 10V 99mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 4.75V @ 250µA 44.3 nC @ 10 V 600 V ±25V 1960 pF @ 100 V - - TO-263 (D2PAK) - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STL45P3LLH6

STL45P3LLH6

MOSFET P-CH 30V 45A POWERFLAT

STMicroelectronics

9,966 -
STL45P3LLH6

数据表

STripFET™ H6 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 1V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 2615 pF @ 25 V - - PowerFlat™ (5x6) - 4.8W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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