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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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STF20NF06

STF20NF06

MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP

STMicroelectronics

3,386 -
STF20NF06

数据表

STripFET™ II TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 70mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V 60 V ±20V 400 pF @ 25 V - - TO-220FP - 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STP3HNK90Z

STP3HNK90Z

MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB

STMicroelectronics

3,111 -
STP3HNK90Z

数据表

SuperMESH™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 10V 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Through Hole 4.5V @ 50µA 35 nC @ 10 V 800 V ±30V 690 pF @ 25 V - - TO-220 - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STD50NH02L-1

STD50NH02L-1

MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK

STMicroelectronics

5,652 -
STD50NH02L-1

数据表

STripFET™ III TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 5V, 10V 10.5mOhm @ 25A, 10V Through Hole 1.8V @ 250µA 24 nC @ 10 V 24 V ±20V 1400 pF @ 25 V - - TO-251 (IPAK) - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STH320N4F6-6

STH320N4F6-6

MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6

STMicroelectronics

976 -
STH320N4F6-6

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VI TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200A (Tc) 10V 1.3mOhm @ 80A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V 40 V ±20V 13800 pF @ 15 V AEC-Q101 - H2PAK-6 Automotive 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
STB35N65DM2

STB35N65DM2

MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK

STMicroelectronics

971 -
STB35N65DM2

数据表

MDmesh™ M2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Tc) 10V 110mOhm @ 14A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 54 nC @ 10 V 650 V ±25V 2400 pF @ 100 V - - D2PAK - 210W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STB9NK90Z

STB9NK90Z

MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK

STMicroelectronics

680 -
STB9NK90Z

数据表

SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 3.6A, 10V Surface Mount 4.5V @ 100µA 72 nC @ 10 V 900 V ±30V 2115 pF @ 25 V - - D2PAK - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STI6N62K3

STI6N62K3

MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK

STMicroelectronics

8,658 -
STI6N62K3

数据表

SuperMESH3™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.5A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V Through Hole 4.5V @ 50µA 34 nC @ 10 V 620 V ±30V 875 pF @ 50 V - - I2PAK - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
STW65N60DM6

STW65N60DM6

MOSFET N-CH 600V 38A TO247

STMicroelectronics

592 -
STW65N60DM6

数据表

MDmesh™ DM6 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 38A (Tc) - - Through Hole - - 600 V ±25V - - - TO-247-3 - - -
STL26NM60N

STL26NM60N

MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT

STMicroelectronics

2,609 -
STL26NM60N

数据表

MDmesh™ II 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Ta), 19A (Tc) 10V 185mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 60 nC @ 10 V 600 V ±30V 1800 pF @ 50 V - - PowerFlat™ (8x8) HV - 125mW (Ta), 3W (Tc) 150°C (TJ)
STH270N8F7-2

STH270N8F7-2

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK

STMicroelectronics

480 -
STH270N8F7-2

数据表

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 193 nC @ 10 V 80 V ±20V 13600 pF @ 50 V - - H2PAK - 315W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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