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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FQD10N20TF

FQD10N20TF

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

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7,868 -
FQD10N20TF

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.6A (Tc) 10V 360mOhm @ 3.8A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 18 nC @ 10 V 200 V ±30V 670 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 51W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQI1P50TU

FQI1P50TU

MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK

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2,006 -
FQI1P50TU

数据表

QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.5A (Tc) 10V 10.5Ohm @ 750mA, 10V Through Hole 5V @ 250µA 14 nC @ 10 V 500 V ±30V 350 pF @ 25 V - - TO-262 (I2PAK) - 3.13W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUF75617D3ST

HUF75617D3ST

MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA

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4,289 -
HUF75617D3ST

数据表

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 90mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 39 nC @ 20 V 100 V ±20V 570 pF @ 25 V - - TO-252AA - 64W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQD13N06TF

FQD13N06TF

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK

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4,062 -
FQD13N06TF

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 140mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 7.5 nC @ 10 V 60 V ±25V 310 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUFA76413D3ST

HUFA76413D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

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6,983 -
HUFA76413D3ST

数据表

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 4.5V, 10V 49mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 20 nC @ 10 V 60 V ±16V 645 pF @ 25 V - - TO-252AA - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTA4153NT3G

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MOSFET N-CH 20V 915MA SC75

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2,947 -
NTA4153NT3G

数据表

- SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 915mA (Ta) 1.5V, 4.5V 230mOhm @ 600mA, 4.5V Surface Mount 1.1V @ 250µA 1.82 nC @ 4.5 V 20 V ±6V 110 pF @ 16 V - - SC-75, SOT-416 - 300mW (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ)
BSS123-G

BSS123-G

FET 100V 6.0 MOHM SOT23

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7,896 -
BSS123-G

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 170mA (Ta) 4.5V, 10V 6Ohm @ 170mA, 10V Surface Mount 2V @ 34µA 2.5 nC @ 10 V 100 V ±20V 73 pF @ 25 V - - SOT-23-3 - 360mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQI13N06LTU

FQI13N06LTU

MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

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5,911 -
FQI13N06LTU

数据表

QFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13.6A (Tc) 5V, 10V 110mOhm @ 6.8A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 6.4 nC @ 5 V 60 V ±20V 350 pF @ 25 V - - TO-262 (I2PAK) - 3.75W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQD19N10LTF

FQD19N10LTF

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

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2,656 -
FQD19N10LTF

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15.6A (Tc) 5V, 10V 100mOhm @ 7.8A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 18 nC @ 5 V 100 V ±20V 870 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTHL080N120SC1

NTHL080N120SC1

SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3

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4,038 -
NTHL080N120SC1

数据表

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 44A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V Through Hole 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V 1200 V +25V, -15V 1670 pF @ 800 V - - TO-247-3 - 348W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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