富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
FQD4N50TM_WS

FQD4N50TM_WS

MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

onsemi

2,299 -
FQD4N50TM_WS

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.6A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V 500 V ±30V 460 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQB630TM

FQB630TM

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

onsemi

5,649 -
FQB630TM

数据表

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V 200 V ±25V 550 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.13W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQB20N06TM

FQB20N06TM

MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK

onsemi

5,101 -
FQB20N06TM

数据表

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 60mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V 60 V ±25V 590 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.75W (Ta), 53W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
HUFA76609D3ST_F085

HUFA76609D3ST_F085

MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA

onsemi

5,535 -
HUFA76609D3ST_F085

数据表

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 4.5V, 10V 160mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 16 nC @ 10 V 100 V ±16V 425 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 49W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQD13N06LTF

FQD13N06LTF

MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

onsemi

2,407 -
FQD13N06LTF

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 5V, 10V 115mOhm @ 5.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 6.4 nC @ 5 V 60 V ±20V 350 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDMC4436BZ

FDMC4436BZ

MOSFET P-CH

onsemi

5,956 -
FDMC4436BZ

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDB9509L-F085

FDB9509L-F085

MOSFET 40V 110X72 MIL DPAK

onsemi

8,776 -
FDB9509L-F085

数据表

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - 16.1A (Tc) - - - - - - - - - - - - - -
FCH041N65EFLN4

FCH041N65EFLN4

MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4

onsemi

3,842 -
FCH041N65EFLN4

数据表

FRFET®, SuperFET® II TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 76A (Tc) 10V 41mOhm @ 38A, 10V Through Hole 5V @ 7.6mA 298 nC @ 10 V 650 V ±20V 12560 pF @ 100 V - - TO-247-4 - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
RFD12N06RLE

RFD12N06RLE

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

onsemi

8,183 -
RFD12N06RLE

数据表

UltraFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 4.5V, 10V 63mOhm @ 18A, 10V Through Hole 3V @ 250µA 15 nC @ 10 V 60 V ±16V 485 pF @ 25 V - - IPAK - 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQD2N60TF

FQD2N60TF

MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

onsemi

2,083 -
FQD2N60TF

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tc) 10V 4.7Ohm @ 1A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 11 nC @ 10 V 600 V ±30V 350 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户