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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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MTB60N05HDL

MTB60N05HDL

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

700 -
MTB60N05HDL

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NDF10N60ZG-001

NDF10N60ZG-001

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP

onsemi

4,052 -
NDF10N60ZG-001

数据表

* - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQP8N60C

FQP8N60C

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3

onsemi

6,507 -
FQP8N60C

数据表

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.5A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3.75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V 600 V ±30V 1255 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTR3A052PZT1G

NTR3A052PZT1G

MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23

onsemi

69 -
NTR3A052PZT1G

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 1.5V, 4.5V 47mOhm @ 3.5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 11.9 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 1243 pF @ 4 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 860mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDP26N40

FDP26N40

MOSFET N-CH 400V 26A TO220-3

onsemi

9,114 -
FDP26N40

数据表

UniFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 26A (Tc) 10V 160mOhm @ 13A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 60 nC @ 10 V 400 V ±30V 3185 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 265W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDP5N50

FDP5N50

MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3

onsemi

2,306 -
FDP5N50

数据表

UniFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V 500 V ±30V 640 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FCPF360N65S3R0L

FCPF360N65S3R0L

MOSFET N-CH 650V 10A TO220F-3

onsemi

7,239 -
FCPF360N65S3R0L

数据表

SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 360mOhm @ 5A, 10V Through Hole 4.5V @ 1mA 18 nC @ 10 V 650 V ±30V 730 pF @ 400 V - - TO-220F-3 - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTMFS4941NT1G

NTMFS4941NT1G

MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL

onsemi

261 -
NTMFS4941NT1G

数据表

* - Cut Tape (CT) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTB5605T4G

NTB5605T4G

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

onsemi

9,715 -
NTB5605T4G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18.5A (Ta) 5V 140mOhm @ 8.5A, 5V Surface Mount 2V @ 250µA 22 nC @ 5 V 60 V ±20V 1190 pF @ 25 V - - D2PAK - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTMD4184PFR2G

NTMD4184PFR2G

MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC

onsemi

6,577 -
NTMD4184PFR2G

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.3A (Ta) 4.5V, 10V 95mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 4.2 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 360 pF @ 10 V - Schottky Diode (Isolated) 8-SOIC - 770mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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