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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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NTD4805N-1G

NTD4805N-1G

MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK

onsemi

2,841 -
NTD4805N-1G

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12.7A (Ta), 95A (Tc) 4.5V, 11.5V 5mOhm @ 30A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 48 nC @ 11.5 V 30 V ±20V 2865 pF @ 12 V - - IPAK - 1.41W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTD4806N-1G

NTD4806N-1G

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK

onsemi

8,683 -
NTD4806N-1G

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11.3A (Ta), 79A (Tc) 4.5V, 11.5V 6mOhm @ 30A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 2142 pF @ 12 V - - IPAK - 1.4W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTD4808N-1G

NTD4808N-1G

MOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAK

onsemi

8,891 -
NTD4808N-1G

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta), 63A (Tc) 4.5V, 11.5V 8mOhm @ 30A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 1538 pF @ 12 V - - IPAK - 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTD4809NA-35G

NTD4809NA-35G

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK

onsemi

8,406 -
NTD4809NA-35G

数据表

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.6A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 11.5V 9mOhm @ 30A, 10V Through Hole 2.5V @ 250µA 13 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 1456 pF @ 12 V - - IPAK - 1.3W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTD4809NT4G

NTD4809NT4G

MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK

onsemi

5,359 -
NTD4809NT4G

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.6A (Ta), 58A (Tc) 4.5V, 11.5V 9mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 25 nC @ 11.5 V 30 V ±20V 1456 pF @ 12 V - - DPAK - 1.4W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTD5407NG

NTD5407NG

MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK

onsemi

7,579 -
NTD5407NG

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.6A (Ta), 38A (Tc) 5V, 10V 26mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V 40 V ±20V 1000 pF @ 32 V - - DPAK - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NTD5407NT4G

NTD5407NT4G

MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK

onsemi

3,816 -
NTD5407NT4G

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.6A (Ta), 38A (Tc) 5V, 10V 26mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V 40 V ±20V 1000 pF @ 32 V - - DPAK - 2.9W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NVXR22S90M2SPM

NVXR22S90M2SPM

SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPM

onsemi

4 -
NVXR22S90M2SPM

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTGS4111PT2G

NTGS4111PT2G

MOSFET P-CH 30V 2.6A 6TSOP

onsemi

2,345 -
NTGS4111PT2G

数据表

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.6A (Ta) 4.5V, 10V 60mOhm @ 3.7A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 32 nC @ 10 V 30 V ±20V 750 pF @ 15 V - - 6-TSOP - 630mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTHD3133PFT3G

NTHD3133PFT3G

MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

onsemi

6,277 -
NTHD3133PFT3G

数据表

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.2A (Tj) 1.8V, 4.5V 80mOhm @ 3.2A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 7.4 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 680 pF @ 10 V - Schottky Diode (Isolated) ChipFET™ - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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