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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PHM2230DLSX

PHM2230DLSX

MOSFET

Nexperia USA Inc.

7,564 -
PHM2230DLSX

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN1R0-25YLD/1X

PSMN1R0-25YLD/1X

MOSFET

Nexperia USA Inc.

3,631 -
PSMN1R0-25YLD/1X

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN1R4-40YLD/1X

PSMN1R4-40YLD/1X

MOSFET

Nexperia USA Inc.

9,461 -
PSMN1R4-40YLD/1X

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK9Y3R0-40E/DMANX

BUK9Y3R0-40E/DMANX

MOSFET

Nexperia USA Inc.

2,415 -
BUK9Y3R0-40E/DMANX

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN1R4-30YLD/1X

PSMN1R4-30YLD/1X

MOSFET

Nexperia USA Inc.

5,689 -
PSMN1R4-30YLD/1X

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN1R0-30YLD/1X

PSMN1R0-30YLD/1X

MOSFET

Nexperia USA Inc.

3,204 -
PSMN1R0-30YLD/1X

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK7Y59-60E/DMANX

BUK7Y59-60E/DMANX

MOSFET

Nexperia USA Inc.

4,953 -
BUK7Y59-60E/DMANX

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN2R4-30MLD/1X

PSMN2R4-30MLD/1X

MOSFET

Nexperia USA Inc.

5,155 -
PSMN2R4-30MLD/1X

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN1R0-40YLD/1X

PSMN1R0-40YLD/1X

MOSFET

Nexperia USA Inc.

8,913 -
PSMN1R0-40YLD/1X

数据表

- - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
NX7002BK215

NX7002BK215

NEXPERIA NX7002BK - SMALL SIGNAL

Nexperia USA Inc.

8,033 -
NX7002BK215

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 270mA (Ta), 330mA (Tc) 5V, 10V 2.8Ohm @ 200mA, 10V Surface Mount 2.1V @ 250µA 1 nC @ 10 V 60 V ±20V 23.6 pF @ 10 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 310mW (Ta), 1.67W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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