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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK3F00-50WDFM,518

BUK3F00-50WDFM,518

IC 9675 AUTO 64QFP

Nexperia USA Inc.

3,565 -
BUK3F00-50WDFM,518

数据表

* - Tray Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
ON5194,127

ON5194,127

MOSFET POWER TRENCH I2PAK

Nexperia USA Inc.

8,484 -
ON5194,127

数据表

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMCM440VNE/S500Z

PMCM440VNE/S500Z

MOSFET N-CHANNEL 12V 5A 4WLCSP

Nexperia USA Inc.

5,725 -
PMCM440VNE/S500Z

数据表

TrenchMOS™ 4-XFBGA, WLCSP Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Ta) 1.5V, 4.5V 67mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 8.2 nC @ 4.5 V 12 V ±8V 360 pF @ 6 V - - 4-WLCSP (0.78x0.78) - 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMV130ENEA/DG/B2R

PMV130ENEA/DG/B2R

MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB

Nexperia USA Inc.

9,172 -
PMV130ENEA/DG/B2R

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.1A (Ta) 4.5V, 10V 120mOhm @ 1.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 3.6 nC @ 10 V 40 V ±20V 170 pF @ 20 V AEC-Q101 - TO-236AB Automotive 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN2R4-30MLD/2X

PSMN2R4-30MLD/2X

PSMN2R4-30MLD/SOT1210/MLFPAK

Nexperia USA Inc.

2,968 -
PSMN2R4-30MLD/2X

数据表

- SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.2V @ 1mA 51 nC @ 10 V 30 V ±20V 3264 pF @ 15 V - - LFPAK33 - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN3R0-30YLD/2X

PSMN3R0-30YLD/2X

PSMN3R0-30YLD/SOT669/LFPAK

Nexperia USA Inc.

9,355 -
PSMN3R0-30YLD/2X

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.2V @ 1mA 46.4 nC @ 10 V 30 V ±20V 2939 pF @ 15 V - Schottky Diode (Body) LFPAK56, Power-SO8 - 91W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PMPB100ENEAX

PMPB100ENEAX

PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220

Nexperia USA Inc.

3,111 -
PMPB100ENEAX

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active - - - - - Surface Mount - - - ±20V - - - DFN2020MD-6 - - -
PMPB25ENEAX

PMPB25ENEAX

MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6

Nexperia USA Inc.

7,919 -
PMPB25ENEAX

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.2A (Ta) 4.5V, 10V 24mOhm @ 7.2A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 19 nC @ 10 V 30 V ±20V 607 pF @ 15 V - - DFN2020MD-6 - 2.08W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN5R6-100YSFX

PSMN5R6-100YSFX

MOSFET N-CH 100V 158A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

4,262 -
PSMN5R6-100YSFX

数据表

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V - Surface Mount - 63 nC @ 10 V 100 V ±20V - - - LFPAK56; Power-SO8 - 294W (Tc) 175°C (TJ)
PH1530CL,115

PH1530CL,115

MOSFET N-CH 30V LFPAK

Nexperia USA Inc.

5,191 -
PH1530CL,115

数据表

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
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