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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
SICW080N120Y4-BP

SICW080N120Y4-BP

N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4

Micro Commercial Co

338 -
SICW080N120Y4-BP

数据表

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 39A 18V 85mOhm @ 20A, 18V Through Hole 3.6V @ 5mA 41 nC @ 18 V 1200 V +22V, -8V 890 pF @ 1000 V - - TO-247-4 - 223W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SICW025N120H-BP

SICW025N120H-BP

SIC MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

360 -
SICW025N120H-BP

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 86A (Tc) 20V 33mOhm @ 40A, 20V Through Hole 4.5V @ 50mA 305 nC @ 20 V 1200 V +25V, -10V 4909 pF @ 800 V - - TO-247AB - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SICW025N120H4-BP

SICW025N120H4-BP

SIC MOSFET,TO-247-4

Micro Commercial Co

350 -
SICW025N120H4-BP

数据表

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 86A (Tc) 20V 33mOhm @ 40A, 20V Through Hole 4.5V @ 50mA 305 nC @ 20 V 1200 V +20V, -5V 4909 pF @ 800 V - - TO-247-4 - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SICW028N120A4-BP

SICW028N120A4-BP

MOSFET N-CH 1200 V 80A TO247-4

Micro Commercial Co

1,800 -
SICW028N120A4-BP

数据表

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 80A (Tc) 16V, 20V 30mOhm @ 40A, 20V Through Hole 3V @ 15mA 168 nC @ 18 V 1200 V +22V, -5V 3570 pF @ 1000 V - - TO-247-4 - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
MCP70N15Y-BP

MCP70N15Y-BP

MOSFET

Micro Commercial Co

7,460 -
MCP70N15Y-BP

数据表

- TO-220-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 6V, 10V 20mOhm @ 20A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V 150 V ±20V 2508 pF @ 75 V - - TO-220AB (H) - 150W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ)
MCB70N15Y-TP

MCB70N15Y-TP

MOSFET

Micro Commercial Co

4,629 -
MCB70N15Y-TP

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 6V, 10V 17mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 40 nC @ 10 V 150 V ±20V 2517 pF @ 75 V - - D2PAK - 180W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ)
MCB70N10Y-TP

MCB70N10Y-TP

MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK

Micro Commercial Co

2,633 -
MCB70N10Y-TP

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 10V 18mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V 100 V ±25V 2960 pF @ 50 V - - D2PAK - 115W -55°C ~ 175°C (TJ)
MSJB14N65A-TP

MSJB14N65A-TP

MOSFET

Micro Commercial Co

6,800 -
MSJB14N65A-TP

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 400mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V 650 V ±30V 750 pF @ 300 V - - D2PAK - 139W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ)
MCAC80N15Y-TP

MCAC80N15Y-TP

MOSFET N-CH 150 80A DFN5060

Micro Commercial Co

7,812 -
MCAC80N15Y-TP

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 6V, 10V 11mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 91 nC @ 10 V 150 V ±25V 5244 pF @ 75 V - - DFN5060 - 178W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ)
MCACL330N04Y-TP

MCACL330N04Y-TP

MOSFET N-CH 40 330A DFN5060-C

Micro Commercial Co

4,656 -
MCACL330N04Y-TP

数据表

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 330A (Tc) 6V, 10V 0.85mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 133 nC @ 10 V 40 V ±20V 8098 pF @ 30 V - - DFN5060-C - 250W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ)
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