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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
MCBS260N10YHE3-TP

MCBS260N10YHE3-TP

N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7

Micro Commercial Co

1,600 -
MCBS260N10YHE3-TP

数据表

- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 260A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 161 nC @ 10 V 100 V ±20V 10589 pF @ 30 V AEC-Q101 - TO-263-7 Automotive 375W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ)
MCTL300N10YHE3-TP

MCTL300N10YHE3-TP

N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L

Micro Commercial Co

3,900 -
MCTL300N10YHE3-TP

数据表

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300A (Tc) 10V 1.55mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 3.9V @ 250µA 166 nC @ 10 V 100 V ±20V 10051 pF @ 50 V AEC-Q101 - TOLL-8L Automotive 375W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ)
SICW1000N170A-BP

SICW1000N170A-BP

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

300 -
SICW1000N170A-BP

数据表

- TO-247-3 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 3A 15V, 20V 1.32Ohm @ 1.5A, 20V Through Hole 4.5V @ 1mA 15.5 nC @ 20 V 1700 V +25V, -5V 124 pF @ 1000 V - - TO-247AB - 69W -55°C ~ 150°C (TJ)
MSJB11N80A-TP

MSJB11N80A-TP

N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK

Micro Commercial Co

1,600 -
MSJB11N80A-TP

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 470mOhm @ 7.1A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V 800 V ±20V 958 pF @ 400 V - - D2PAK - 156W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ)
SICW400N170A-BP

SICW400N170A-BP

MOSFET N-CH 1700V 6A TO247AB

Micro Commercial Co

1,795 -
SICW400N170A-BP

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 6A (Tc) 16V, 20V 500mOhm @ 3A, 20V Through Hole 4.5V @ 5mA 31 nC @ 20 V 1700 V +25V, -5V 333 pF @ 1000 V - - TO-247AB - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SICW025N065H4-BP

SICW025N065H4-BP

SIC MOSFET,TO-247-4

Micro Commercial Co

360 -
SICW025N065H4-BP

数据表

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 107A (Tc) 18V 30mOhm @ 50A, 18V Through Hole 4.5V @ 50mA 275 nC @ 18 V 650 V +18V, -5V 5740 pF @ 400 V - - TO-247-4 - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SICW040N120H-BP

SICW040N120H-BP

SIC MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

360 -
SICW040N120H-BP

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 62A (Tc) 20V 52mOhm @ 30A, 20V Through Hole 4.5V @ 40mA 229 nC @ 20 V 1200 V +25V, -10V 3619 pF @ 800 V - - TO-247AB - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SICW040N120H4-BP

SICW040N120H4-BP

SIC MOSFET,TO-247-4

Micro Commercial Co

360 -
SICW040N120H4-BP

数据表

- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 62A (Tc) 20V 52mOhm @ 30A, 20V Through Hole 4.5V @ 40mA 229 nC @ 20 V 1200 V +20V, -5V 3619 pF @ 800 V - - TO-247-4 - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
MCT04P06-TP

MCT04P06-TP

MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT223

Micro Commercial Co

2,259 -
MCT04P06-TP

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.5A (Tj) 4.5V, 10V 80mOhm @ 3.1A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V 60 V ±20V 650 pF @ 15 V - - SOT-223 - 2W -55°C ~ 150°C (TJ)
SICW025N065H-BP

SICW025N065H-BP

SIC MOSFET,TO-247AB

Micro Commercial Co

360 -
SICW025N065H-BP

数据表

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 107A (Tc) 18V 30mOhm @ 50A, 18V Through Hole 4.5V @ 50mA 275 nC @ 18 V 650 V +22V, -10V 5740 pF @ 400 V - - TO-247AB - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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