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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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VHM40-06P1

VHM40-06P1

MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2

IXYS

6,509 -
VHM40-06P1

数据表

- ECO-PAC2 Box Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 600V 38A 70mOhm @ 25A, 10V 5.5V @ 3mA 220nC @ 10V - - - ECO-PAC2 -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
VMM1000-01P

VMM1000-01P

MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI

IXYS

2,616 -
VMM1000-01P

数据表

- Y3-Li Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 100V 1000A 1.2mOhm @ 800A, 10V 4V @ 10mA 2355nC @ 10V - - - Y3-Li -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount - -
VMM85-02F

VMM85-02F

MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4-M6

IXYS

7,555 -
VMM85-02F

数据表

HiPerFET™ Y4-M6 Box Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 200V 84A 25mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 8mA 450nC @ 10V - 15000pF @ 25V 370W Y4-M6 -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
VWM200-01P

VWM200-01P

MOSFET 6N-CH 100V 210A V2-PAK

IXYS

3,927 -
VWM200-01P

数据表

- V2-PAK Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A 5.2mOhm @ 100A, 10V 4V @ 2mA 430nC @ 10V - - - V2-PAK -40°C ~ 175°C (TJ) Chassis Mount - -
GWM100-0085X1-SMD

GWM100-0085X1-SMD

MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS

IXYS

3,910 -
GWM100-0085X1-SMD

数据表

- 17-SMD, Gull Wing Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 85V 103A 6.2mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 114nC @ 10V - - - ISOPLUS-DIL™ -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount - -
GWM100-01X1-SLSAM

GWM100-01X1-SLSAM

MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

IXYS

5,098 -
GWM100-01X1-SLSAM

数据表

- 17-SMD, Flat Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A 8.5mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V - - - ISOPLUS-DIL™ -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount - -
GWM100-01X1-SMDSAM

GWM100-01X1-SMDSAM

MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

IXYS

3,762 -
GWM100-01X1-SMDSAM

数据表

- 17-SMD, Gull Wing Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A 8.5mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V - - - ISOPLUS-DIL™ -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount - -
GWM120-0075P3-SL

GWM120-0075P3-SL

MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

IXYS

9,513 -
GWM120-0075P3-SL

数据表

- 17-SMD, Flat Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 118A 5.5mOhm @ 60A, 10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V - - - ISOPLUS-DIL™ -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount - -
FMM110-015X2F

FMM110-015X2F

MOSFET 2N-CH 150V 53A I4-PAC

IXYS

7,971 -
FMM110-015X2F

数据表

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 20mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 150nC @ 10V - 8600pF @ 25V 180W ISOPLUS i4-PAC™ -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole - -
FMP76-010T

FMP76-010T

MOSFET N/P-CH 100V 62A I4-PAC

IXYS

4,893 -
FMP76-010T

数据表

Trench™ i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel 100V 62A, 54A 11mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 104nC @ 10V - 5080pF @ 25V 89W, 132W ISOPLUS i4-PAC™ -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole - -
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