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场效应晶体管(FET)、MOSFET 阵列

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 配置 漏极到源极电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs FET 特性 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 功率 - 最大值 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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VMM45-02F

VMM45-02F

MOSFET 2N-CH 200V 45A TO240AA

IXYS

3,945 -
VMM45-02F

数据表

HiPerFET™ TO-240AA Box Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 200V 45A 45mOhm @ 22.5A, 10V 4V @ 4mA 225nC @ 10V - 7500pF @ 25V 190W TO-240AA -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount - -
GWM220-004P3-SL SAM

GWM220-004P3-SL SAM

MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS

IXYS

2,765 -
GWM220-004P3-SL SAM

数据表

- 17-SMD, Flat Leads Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 40V 180A - 4V @ 1mA 94nC @ 10V - - - ISOPLUS-DIL™ -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount - -
FMM300-0055P

FMM300-0055P

MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC

IXYS

5,066 -
FMM300-0055P

数据表

- i4-Pac™-5 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 55V 300A 3.6mOhm @ 150A, 10V 4V @ 2mA 172nC @ 10V - - - ISOPLUS i4-PAC™ -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole - -
MTC120WX75GD-SMD

MTC120WX75GD-SMD

MOSFET 6N-CH 75V 180A ISOPLUS

IXYS

7,035 -
MTC120WX75GD-SMD

数据表

- ISOPLUS-DIL™ Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 180A (Tc) 3.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 1mA 178nC @ 10V - 10500pF @ 25V - ISOPLUS-DIL™ -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount - -
MTC120WX55GD-SMD

MTC120WX55GD-SMD

MOSFET 6N-CH 55V 150A

IXYS

2,790 -
MTC120WX55GD-SMD

数据表

- - Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A (Tc) 3.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V - 6970pF @ 25V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - -
MTC120W55GC-SMD

MTC120W55GC-SMD

MOSFET 6N-CH 55V 150A

IXYS

6,015 -
MTC120W55GC-SMD

数据表

- - Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 150A (Tc) 3.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V - 6970pF @ 25V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - -
MTI200WX75GD-SMD

MTI200WX75GD-SMD

MOSFET 6N-CH 75V 255A ISOPLUS

IXYS

3,706 -
MTI200WX75GD-SMD

数据表

- ISOPLUS-DIL™ Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 255A (Tc) 1.3mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 275µA 155nC @ 10V - 14400pF @ 38V - ISOPLUS-DIL™ -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount - -
MMIX2F60N50P3

MMIX2F60N50P3

MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD

IXYS

6,483 -
MMIX2F60N50P3

数据表

HiPerFET™, Polar3™ 24-SMD Module, 9 Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 500V 30A (Tc) 110mOhm @ 30A, 10V 5V @ 4mA 96nC @ 10V - 6250pF @ 25V 320W 24-SMPD -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount - -
LKK47-06C5

LKK47-06C5

MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264

IXYS

3,303 -
LKK47-06C5

数据表

CoolMOS™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) 600V 47A 45mOhm @ 44A, 10V 3.9V @ 3mA 190nC @ 10V - 6800pF @ 100V - ISOPLUS264™ -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole - -
IXFN27N120SK

IXFN27N120SK

MOSFET 2N-CH 1200V SOT227B

IXYS

9,241 -
IXFN27N120SK

数据表

- SOT-227-4, miniBLOC Tube Obsolete Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) - - - - - - - SOT-227B - Chassis Mount - -
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