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桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 电压 - 反向峰值(最大值) 认证 安装类型 供应商设备封装

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BR88

BR88

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A BR-8

GeneSiC Semiconductor

189 -
BR88

数据表

- 4-Square, BR-8 Bulk Active Single Phase Standard 8 A 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V -65°C ~ 125°C (TJ) - 800 V - Through Hole BR-8
KBU8B

KBU8B

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A KBU

GeneSiC Semiconductor

6,067 -
KBU8B

数据表

- 4-SIP, KBU Bulk Active Single Phase Standard 8 A 1 V @ 8 A 10 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole KBU
KBPC5010T

KBPC5010T

BRIDGE RECT 1P 1KV 50A KBPC-T

GeneSiC Semiconductor

10 -
KBPC5010T

数据表

- 4-Square, KBPC-T Bulk Active Single Phase Standard 50 A 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - QC Terminal KBPC-T
GBPC2508W

GBPC2508W

BRIDGE RECT 1P 800V 25A GBPC-W

GeneSiC Semiconductor

3,064 -
GBPC2508W

数据表

- 4-Square, GBPC-W Bulk Active Single Phase Standard 25 A 1.1 V @ 1.2 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole GBPC-W
GBPC2508T

GBPC2508T

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBPC

GeneSiC Semiconductor

6 -
GBPC2508T

数据表

- 4-Square, GBPC Bulk Active Single Phase Standard 25 A 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - QC Terminal GBPC
GBPC2506W

GBPC2506W

BRIDGE RECT 1P 600V 25A GBPC-W

GeneSiC Semiconductor

4,422 -
GBPC2506W

数据表

- 4-Square, GBPC-W Bulk Active Single Phase Standard 25 A 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole GBPC-W
KBU1006

KBU1006

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A KBU

GeneSiC Semiconductor

5,089 -
KBU1006

数据表

- 4-SIP, KBU Bulk Active Single Phase Standard 10 A 1.05 V @ 10 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole KBU
GBPC3501W

GBPC3501W

BRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W

GeneSiC Semiconductor

4,550 -
GBPC3501W

数据表

- 4-Square, GBPC-W Bulk Active Single Phase Standard 35 A 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole GBPC-W
DB102G

DB102G

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DB

GeneSiC Semiconductor

8,233 -
DB102G

数据表

- 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Bulk Active Single Phase Standard 1 A 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole DB
DB105G

DB105G

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB

GeneSiC Semiconductor

9,041 -
DB105G

数据表

- 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Bulk Active Single Phase Standard 1 A 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole DB
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