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桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 电压 - 反向峰值(最大值) 认证 安装类型 供应商设备封装

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DB106G

DB106G

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB

GeneSiC Semiconductor

2,505 -
DB106G

数据表

- 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Bulk Active Single Phase Standard 1 A 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole DB
DB107G

DB107G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB

GeneSiC Semiconductor

7,405 -
DB107G

数据表

- 4-EDIP (0.321", 8.15mm) Bulk Active Single Phase Standard 1 A 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole DB
W01M

W01M

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A WOM

GeneSiC Semiconductor

5,207 -
W01M

数据表

- 4-Circular, WOM Bulk Obsolete Single Phase Standard 1.5 A 1 V @ 1 A 10 µA @ 100 V -65°C ~ 125°C (TJ) - 100 V - Through Hole WOM
W02M

W02M

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A WOM

GeneSiC Semiconductor

6,021 -
W02M

数据表

- 4-Circular, WOM Bulk Obsolete Single Phase Standard 1.5 A 1 V @ 1 A 10 µA @ 200 V -65°C ~ 125°C (TJ) - 200 V - Through Hole WOM
W04M

W04M

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOM

GeneSiC Semiconductor

4,483 -
W04M

数据表

- 4-Circular, WOM Bulk Obsolete Single Phase Standard 1.5 A 1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V -65°C ~ 125°C (TJ) - 400 V - Through Hole WOM
W06M

W06M

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A WOM

GeneSiC Semiconductor

2,351 -
W06M

数据表

- 4-Circular, WOM Bulk Obsolete Single Phase Standard 1.5 A 1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V -65°C ~ 125°C (TJ) - 600 V - Through Hole WOM
W08M

W08M

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A WOM

GeneSiC Semiconductor

4,308 -
W08M

数据表

- 4-Circular, WOM Bulk Obsolete Single Phase Standard 1.5 A 1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V -65°C ~ 125°C (TJ) - 800 V - Through Hole WOM
W10M

W10M

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A WOM

GeneSiC Semiconductor

4,489 -
W10M

数据表

- 4-Circular, WOM Bulk Obsolete Single Phase Standard 1.5 A 1 V @ 1 A 10 µA @ 1000 V -65°C ~ 125°C (TJ) - 1 kV - Through Hole WOM
KBP201G

KBP201G

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A KBP

GeneSiC Semiconductor

3,412 -
KBP201G

数据表

- 4-SIP, KBP Bulk Active Single Phase Standard 2 A 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Through Hole KBP
KBP202G

KBP202G

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP

GeneSiC Semiconductor

2,773 -
KBP202G

数据表

- 4-SIP, KBP Bulk Active Single Phase Standard 2 A 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole KBP
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