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桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 电压 - 反向峰值(最大值) 认证 安装类型 供应商设备封装

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GBJ30G

GBJ30G

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 30A GBJ

GeneSiC Semiconductor

4,985 -
GBJ30G

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 30 A 1.05 V @ 15 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 400 V - Through Hole GBJ
GBJ30M

GBJ30M

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 30A GBJ

GeneSiC Semiconductor

5,774 -
GBJ30M

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 30 A 1.05 V @ 15 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole GBJ
GBJ30K

GBJ30K

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 30A GBJ

GeneSiC Semiconductor

3,913 -
GBJ30K

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 30 A 1.05 V @ 15 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole GBJ
GBJ30J

GBJ30J

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 30A GBJ

GeneSiC Semiconductor

8,244 -
GBJ30J

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 30 A 1.05 V @ 15 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole GBJ
GBJ30B

GBJ30B

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 30A GBJ

GeneSiC Semiconductor

3,482 -
GBJ30B

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 30 A 1.05 V @ 15 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole GBJ
KBPC15010T

KBPC15010T

BRIDGE RECT 1P 1KV 15A KBPC-T

GeneSiC Semiconductor

2,487 -
KBPC15010T

数据表

- 4-Square, KBPC-T Bulk Active Single Phase Standard 15 A 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - QC Terminal KBPC-T
GBJ35B

GBJ35B

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBJ

GeneSiC Semiconductor

7,091 -
GBJ35B

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 35 A 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole GBJ
GBJ35J

GBJ35J

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A GBJ

GeneSiC Semiconductor

9,995 -
GBJ35J

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 35 A 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole GBJ
GBJ35D

GBJ35D

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 35A GBJ

GeneSiC Semiconductor

2,701 -
GBJ35D

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 35 A 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 200 V - Through Hole GBJ
GBJ35K

GBJ35K

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBJ

GeneSiC Semiconductor

5,521 -
GBJ35K

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 35 A 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole GBJ
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