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桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 电压 - 反向峰值(最大值) 认证 安装类型 供应商设备封装

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BR102

BR102

BRIDGE RECT 1P 200V 10A BR-10

GeneSiC Semiconductor

7,585 -
BR102

数据表

- 4-Square, BR-10 Bulk Active Single Phase Standard 10 A 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 200 V - Through Hole BR-10
BR106

BR106

BRIDGE RECT 1P 600V 10A BR-10

GeneSiC Semiconductor

7,521 -
BR106

数据表

- 4-Square, BR-10 Bulk Active Single Phase Standard 10 A 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole BR-10
BR108

BR108

BRIDGE RECT 1P 800V 10A BR-10

GeneSiC Semiconductor

4,848 -
BR108

数据表

- 4-Square, BR-10 Bulk Active Single Phase Standard 10 A 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole BR-10
GBJ25K

GBJ25K

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBJ

GeneSiC Semiconductor

5,370 -
GBJ25K

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 25 A 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole GBJ
GBJ25B

GBJ25B

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 25A GBJ

GeneSiC Semiconductor

2,987 -
GBJ25B

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 25 A 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole GBJ
GBJ25J

GBJ25J

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJ

GeneSiC Semiconductor

4,823 -
GBJ25J

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 25 A 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole GBJ
GBJ25G

GBJ25G

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBJ

GeneSiC Semiconductor

5,158 -
GBJ25G

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 25 A 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 400 V - Through Hole GBJ
GBJ25D

GBJ25D

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A GBJ

GeneSiC Semiconductor

9,318 -
GBJ25D

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 25 A 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 200 V - Through Hole GBJ
GBJ25M

GBJ25M

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ

GeneSiC Semiconductor

5,118 -
GBJ25M

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 25 A 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole GBJ
GBJ30D

GBJ30D

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 30A GBJ

GeneSiC Semiconductor

3,051 -
GBJ30D

数据表

- 4-SIP, GBJ Bulk Active Single Phase Standard 30 A 1.05 V @ 15 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 200 V - Through Hole GBJ
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