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桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 电压 - 反向峰值(最大值) 认证 安装类型 供应商设备封装

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GBU8K

GBU8K

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A GBU

GeneSiC Semiconductor

5,787 -
GBU8K

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 8 A 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole GBU
GBU8M

GBU8M

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBU

GeneSiC Semiconductor

5,211 -
GBU8M

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 8 A 1.1 V @ 8 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole GBU
KBL601G

KBL601G

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBL

GeneSiC Semiconductor

4,317 -
KBL601G

数据表

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Through Hole KBL
KBL602G

KBL602G

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBL

GeneSiC Semiconductor

7,309 -
KBL602G

数据表

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole KBL
KBL604G

KBL604G

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBL

GeneSiC Semiconductor

5,595 -
KBL604G

数据表

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 400 V - Through Hole KBL
KBL606G

KBL606G

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBL

GeneSiC Semiconductor

4,047 -
KBL606G

数据表

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 600 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole KBL
KBL608G

KBL608G

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBL

GeneSiC Semiconductor

9,450 -
KBL608G

数据表

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole KBL
GBU15A

GBU15A

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A GBU

GeneSiC Semiconductor

9,209 -
GBU15A

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 15 A 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Through Hole GBU
GBU15B

GBU15B

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBU

GeneSiC Semiconductor

3,694 -
GBU15B

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 15 A 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 100 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole GBU
GBU15D

GBU15D

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBU

GeneSiC Semiconductor

4,842 -
GBU15D

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 15 A 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 200 V - Through Hole GBU
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