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桥式整流器

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 二极管类型 技术 电流 - 平均整流(Io) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 电流 - 反向漏电 @ Vr 工作温度 等级 电压 - 反向峰值(最大值) 认证 安装类型 供应商设备封装

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KBJ410G

KBJ410G

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBJ

GeneSiC Semiconductor

5,295 -
KBJ410G

数据表

- 4-SIP, KBJ Bulk Active Single Phase Standard 4 A 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole KBJ
GBU6A

GBU6A

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBU

GeneSiC Semiconductor

8,682 -
GBU6A

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 50 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Through Hole GBU
GBU6D

GBU6D

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBU

GeneSiC Semiconductor

2,243 -
GBU6D

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 200 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 200 V - Through Hole GBU
GBU6G

GBU6G

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A GBU

GeneSiC Semiconductor

7,171 -
GBU6G

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 400 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 400 V - Through Hole GBU
GBU6K

GBU6K

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU

GeneSiC Semiconductor

3,127 -
GBU6K

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 800 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 800 V - Through Hole GBU
GBU6M

GBU6M

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU

GeneSiC Semiconductor

8,123 -
GBU6M

数据表

- 4-SIP, GBU Bulk Active Single Phase Standard 6 A 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 1000 V -55°C ~ 150°C (TJ) - 1 kV - Through Hole GBU
KBL401G

KBL401G

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBL

GeneSiC Semiconductor

5,235 -
KBL401G

数据表

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 4 A 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V -50°C ~ 150°C (TJ) - 50 V - Through Hole KBL
KBL402G

KBL402G

BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A KBL

GeneSiC Semiconductor

7,807 -
KBL402G

数据表

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 4 A 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 100 V -50°C ~ 150°C (TJ) - 100 V - Through Hole KBL
KBL404G

KBL404G

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A KBL

GeneSiC Semiconductor

5,329 -
KBL404G

数据表

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 4 A 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V -50°C ~ 150°C (TJ) - 400 V - Through Hole KBL
KBL406G

KBL406G

BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL

GeneSiC Semiconductor

9,224 -
KBL406G

数据表

- 4-SIP, KBL Bulk Active Single Phase Standard 4 A 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V -50°C ~ 150°C (TJ) - 600 V - Through Hole KBL
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