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双极晶体管阵列,预偏置

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电阻 - 基极 (R1) 电阻 - 发射极基极 (R2) 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 频率 - 跃迁 功率 - 最大值 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电阻 - 基极 (R1) 电阻 - 发射极基极 (R2) 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 频率 - 跃迁 功率 - 最大值 等级 供应商设备封装 认证 安装类型
RN4988(TE85L,F)

RN4988(TE85L,F)

NPN + PNP BRT Q1BSR=22KOHM Q1BER

Toshiba Semiconductor and Storage

180 -
RN4988(TE85L,F)

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 22kOhms 47kOhms 80 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 50V 250MHz, 200MHz 200mW - US6 - Surface Mount
RN1710JE(TE85L,F)

RN1710JE(TE85L,F)

NPN X 2 BRT Q1BSR=4.7KOHM Q1BER=

Toshiba Semiconductor and Storage

105 -
RN1710JE(TE85L,F)

数据表

- SOT-553 Tape & Reel (TR) Active 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 100mA 4.7kOhms - 120 @ 1mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 250MHz 100mW - ESV - Surface Mount
RN4607(TE85L,F)

RN4607(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

Toshiba Semiconductor and Storage

699 -
RN4607(TE85L,F)

数据表

- SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Active 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 10kOhms 47kOhms 80 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 200MHz 300mW - SM6 - Surface Mount
RN1705JE(TE85L,F)

RN1705JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Toshiba Semiconductor and Storage

460 -
RN1705JE(TE85L,F)

数据表

- SOT-553 Tape & Reel (TR) Active 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 100mA 2.2kOhms 47kOhms 80 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 250MHz 100mW - ESV - Surface Mount
RN1611(TE85L,F)

RN1611(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Toshiba Semiconductor and Storage

305 -
RN1611(TE85L,F)

数据表

- SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Active 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 10kOhms - 120 @ 1mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 250MHz 300mW - SM6 - Surface Mount
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Toshiba Semiconductor and Storage

670 -
RN2606(TE85L,F)

数据表

- SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Active 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 4.7kOhms 47kOhms 80 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 200MHz 300mW - SM6 - Surface Mount
RN2504(TE85L,F)

RN2504(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Toshiba Semiconductor and Storage

247 -
RN2504(TE85L,F)

数据表

- SC-74A, SOT-753 Tape & Reel (TR) Active 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 100mA 47kOhms 47kOhms 80 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 200MHz 300mW - SMV - Surface Mount
RN1909,LF(CT

RN1909,LF(CT

NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH

Toshiba Semiconductor and Storage

392 -
RN1909,LF(CT

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 47kOhms 22kOhms 70 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 50V 250MHz 200mW - US6 - Surface Mount
RN1704,LF

RN1704,LF

NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER47KOH

Toshiba Semiconductor and Storage

210 -
RN1704,LF

数据表

- 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Tape & Reel (TR) Active 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 47kOhms 47kOhms 80 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 50V 250MHz 200mW - USV - Surface Mount
RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Toshiba Semiconductor and Storage

915 -
RN1963FE(TE85L,F)

数据表

- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 22kOhms 22kOhms 70 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 250MHz 100mW - ES6 - Surface Mount
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