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双极晶体管阵列,预偏置

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电阻 - 基极 (R1) 电阻 - 发射极基极 (R2) 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 频率 - 跃迁 功率 - 最大值 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 晶体管类型 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 电阻 - 基极 (R1) 电阻 - 发射极基极 (R2) 直流电流增益(hFE)(最小值)@ Ic, Vce 集电极饱和电压 (Vce)(最大值)@ Ib, Ic 电流 - 集电极截止(最大值) 电压 - 集电极发射极击穿(最大值) 频率 - 跃迁 功率 - 最大值 等级 供应商设备封装 认证 安装类型
RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Toshiba Semiconductor and Storage

8,695 -
RN1906FE(T5L,F,T)

数据表

- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 100mA 4.7kOhms 47kOhms 80 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 250MHz 100mW - ES6 - Surface Mount
RN2902FE(T5L,F,T)

RN2902FE(T5L,F,T)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Toshiba Semiconductor and Storage

7,142 -
RN2902FE(T5L,F,T)

数据表

- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 10kOhms 10kOhms 50 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 200MHz 100mW - ES6 - Surface Mount
RN2969FE(TE85L,F)

RN2969FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Toshiba Semiconductor and Storage

7,625 -
RN2969FE(TE85L,F)

数据表

- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 47kOhms 22kOhms 70 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 200MHz 100mW - ES6 - Surface Mount
RN2971FE(TE85L,F)

RN2971FE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Toshiba Semiconductor and Storage

6,702 -
RN2971FE(TE85L,F)

数据表

- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 10kOhms - 120 @ 1mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 200MHz 100mW - ES6 - Surface Mount
RN4908(T5L,F,T)

RN4908(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Toshiba Semiconductor and Storage

8,632 -
RN4908(T5L,F,T)

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 22kOhms 47kOhms 80 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 200MHz 200mW - US6 - Surface Mount
RN4909(T5L,F,T)

RN4909(T5L,F,T)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Toshiba Semiconductor and Storage

5,057 -
RN4909(T5L,F,T)

数据表

- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 47kOhms 22kOhms 70 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 100nA (ICBO) 50V 200MHz 200mW - US6 - Surface Mount
RN2714,LF

RN2714,LF

PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM

Toshiba Semiconductor and Storage

4,210 -
RN2714,LF

数据表

- 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Tape & Reel (TR) Obsolete 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 1kOhms 10kOhms 50 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 50V - 200mW - USV - Surface Mount
RN49A1FE(TE85L,F)

RN49A1FE(TE85L,F)

PNP + NPN BRT Q1BSR=2.2KOHM Q1BE

Toshiba Semiconductor and Storage

7,586 -
RN49A1FE(TE85L,F)

数据表

- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 2.2kOhms, 22kOhms 47kOhms 80 @ 10mA, 5V 300mV @ 250µA, 5mA 500nA 50V 200MHz, 250MHz 100mW - ES6 - Surface Mount
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