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单个齐纳二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 容差 阻抗(最大值)(Zzt) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 工作温度 等级 功率 - 最大值 认证 安装类型 供应商设备封装

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BZD17C47P-E3-08

BZD17C47P-E3-08

DIODE ZENER 47V 800MW DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,764 -
BZD17C47P-E3-08

数据表

- DO-219AB Tape & Reel (TR) Active 47 V - - 1 µA @ 36 V 1.2 V @ 200 mA -55°C ~ 150°C - 800 mW - Surface Mount DO-219AB (SMF)
BZD17C4V3P-E3-08

BZD17C4V3P-E3-08

DIODE ZENER 4.3V 800MW DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,053 -
BZD17C4V3P-E3-08

数据表

- DO-219AB Tape & Reel (TR) Active 4.3 V - - 25 µA @ 1 V 1.2 V @ 200 mA -55°C ~ 150°C - 800 mW - Surface Mount DO-219AB (SMF)
BZD17C4V7P-E3-08

BZD17C4V7P-E3-08

DIODE ZENER 4.7V 800MW DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,975 -
BZD17C4V7P-E3-08

数据表

- DO-219AB Tape & Reel (TR) Active 4.7 V - - 10 µA @ 10 V 1.2 V @ 200 mA -55°C ~ 150°C - 800 mW - Surface Mount DO-219AB (SMF)
BZD17C51P-E3-08

BZD17C51P-E3-08

DIODE ZENER 51V 800MW DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

2,713 -
BZD17C51P-E3-08

数据表

- DO-219AB Tape & Reel (TR) Active 51 V - - 1 µA @ 39 V 1.2 V @ 200 mA -55°C ~ 150°C - 800 mW - Surface Mount DO-219AB (SMF)
BZD17C56P-E3-08

BZD17C56P-E3-08

DIODE ZENER 56V 800MW DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

8,642 -
BZD17C56P-E3-08

数据表

- DO-219AB Tape & Reel (TR) Active 56 V - - 1 µA @ 43 V 1.2 V @ 200 mA -55°C ~ 150°C - 800 mW - Surface Mount DO-219AB (SMF)
BZD17C5V1P-E3-08

BZD17C5V1P-E3-08

DIODE ZENER 5.1V 800MW DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,073 -
BZD17C5V1P-E3-08

数据表

- DO-219AB Tape & Reel (TR) Active 5.1 V - - 5 µA @ 1 V 1.2 V @ 200 mA -55°C ~ 150°C - 800 mW - Surface Mount DO-219AB (SMF)
BZD17C62P-E3-08

BZD17C62P-E3-08

DIODE ZENER 62V 800MW DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,438 -
BZD17C62P-E3-08

数据表

- DO-219AB Tape & Reel (TR) Active 62 V - - 1 µA @ 47 V 1.2 V @ 200 mA -55°C ~ 150°C - 800 mW - Surface Mount DO-219AB (SMF)
BZD17C68P-E3-08

BZD17C68P-E3-08

DIODE ZENER 68V 800MW DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,970 -
BZD17C68P-E3-08

数据表

- DO-219AB Tape & Reel (TR) Active 68 V - - 1 µA @ 51 V 1.2 V @ 200 mA -55°C ~ 150°C - 800 mW - Surface Mount DO-219AB (SMF)
BZD17C6V2P-E3-08

BZD17C6V2P-E3-08

DIODE ZENER 6.2V 800MW DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

3,536 -
BZD17C6V2P-E3-08

数据表

- DO-219AB Tape & Reel (TR) Active 6.2 V - - 5 µA @ 2 V 1.2 V @ 200 mA -55°C ~ 150°C - 800 mW - Surface Mount DO-219AB (SMF)
BZD17C6V8P-E3-08

BZD17C6V8P-E3-08

DIODE ZENER 6.8V 800MW DO219AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

9,774 -
BZD17C6V8P-E3-08

数据表

- DO-219AB Tape & Reel (TR) Active 6.8 V - - 10 µA @ 3 V 1.2 V @ 200 mA -55°C ~ 150°C - 800 mW - Surface Mount DO-219AB (SMF)
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