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单个齐纳二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 容差 阻抗(最大值)(Zzt) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 工作温度 等级 功率 - 最大值 认证 安装类型 供应商设备封装

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RD5.6JS-T1

RD5.6JS-T1

DIODE ZENER 5.6V

Renesas Electronics Corporation

47,500 -
RD5.6JS-T1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
RD7.5E-T1

RD7.5E-T1

DIODE ZENER

Renesas Electronics Corporation

46,000 -
RD7.5E-T1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
RD2.7ES-T1

RD2.7ES-T1

DIODE ZENER

Renesas Electronics Corporation

46,000 -
RD2.7ES-T1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
RD5.6E(N)-T2

RD5.6E(N)-T2

DIODE ZENER

Renesas Electronics Corporation

45,000 -
RD5.6E(N)-T2

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
RD36E-T4-AZ

RD36E-T4-AZ

DIODE ZENER

Renesas Electronics Corporation

45,000 -
RD36E-T4-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
RD20ES

RD20ES

DIODE ZENER

Renesas Electronics Corporation

43,865 -
RD20ES

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
RD6.8E-TB

RD6.8E-TB

DIODE ZENER 6.8V 0.5W

Renesas Electronics Corporation

42,500 -
RD6.8E-TB

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
RD5.6E-TB

RD5.6E-TB

DIODE ZENER 5.6V

Renesas Electronics Corporation

42,500 -
RD5.6E-TB

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
RD6.8ES-T1

RD6.8ES-T1

DIODE ZENER 6.8V

Renesas Electronics Corporation

42,000 -
RD6.8ES-T1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
HZ12C3LTA-E

HZ12C3LTA-E

DIODE ZENER 0.4W

Renesas Electronics Corporation

40,000 -
HZ12C3LTA-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
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