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单个齐纳二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 容差 阻抗(最大值)(Zzt) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 工作温度 等级 功率 - 最大值 认证 安装类型 供应商设备封装

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BZV55-B56,115

BZV55-B56,115

DIODE ZENER 56V 500MW LLDS

NXP USA Inc.

63,780 -
BZV55-B56,115

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
BZV55-B5V6,135

BZV55-B5V6,135

DIODE ZENER 5.6V 500MW LLDS

NXP USA Inc.

60,000 -
BZV55-B5V6,135

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
BZV55-C9V1,135

BZV55-C9V1,135

DIODE ZENER 9.1V 500MW LLDS

NXP USA Inc.

60,000 -
BZV55-C9V1,135

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
BZX884-C43,315

BZX884-C43,315

DIODE ZENER 43V 250MW SOD882

NXP USA Inc.

59,863 -
BZX884-C43,315

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
BZX884-C68,315

BZX884-C68,315

DIODE ZENER 68V 250MW SOD882

NXP USA Inc.

58,001 -
BZX884-C68,315

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
BZV55-C27,135

BZV55-C27,135

DIODE ZENER 27V 500MW LLDS

NXP USA Inc.

57,499 -
BZV55-C27,135

数据表

- DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Bulk Active 27 V ±5% 80 Ohms 50 nA @ 18.9 V 900 mV @ 10 mA -65°C ~ 200°C - 500 mW - Surface Mount LLDS; MiniMelf
BZX79-C4V3,133

BZX79-C4V3,133

DIODE ZENER 4.3V 400MW ALF2

NXP USA Inc.

54,390 -
BZX79-C4V3,133

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
BZT52H-C13,115

BZT52H-C13,115

DIODE ZENER 13V 375MW SOD123F

NXP USA Inc.

54,000 -
BZT52H-C13,115

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
BZX884-C51,315

BZX884-C51,315

DIODE ZENER 51V 250MW SOD882

NXP USA Inc.

50,000 -
BZX884-C51,315

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
BZX84-B13,235

BZX84-B13,235

DIODE ZENER 13V 250MW SOT23

NXP USA Inc.

50,000 -
BZX84-B13,235

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
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