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单个齐纳二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 容差 阻抗(最大值)(Zzt) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 工作温度 等级 功率 - 最大值 认证 安装类型 供应商设备封装

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JAN1N7048-1

JAN1N7048-1

DIODE ZENER

Microchip Technology

5,018 -
JAN1N7048-1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
JAN1N7049-1

JAN1N7049-1

DIODE ZENER

Microchip Technology

4,007 -
JAN1N7049-1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
JAN1N7050-1

JAN1N7050-1

DIODE ZENER

Microchip Technology

2,979 -
JAN1N7050-1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
JAN1N7051-1

JAN1N7051-1

DIODE ZENER

Microchip Technology

8,874 -
JAN1N7051-1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
JAN1N7052-1

JAN1N7052-1

DIODE ZENER

Microchip Technology

9,436 -
JAN1N7052-1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
JAN1N7053-1

JAN1N7053-1

DIODE ZENER

Microchip Technology

2,559 -
JAN1N7053-1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
JAN1N7054-1

JAN1N7054-1

DIODE ZENER

Microchip Technology

6,489 -
JAN1N7054-1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
JAN1N7055-1

JAN1N7055-1

DIODE ZENER

Microchip Technology

6,765 -
JAN1N7055-1

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - -
JANTXV1N751AUR-1/TR

JANTXV1N751AUR-1/TR

DIODE ZENER 5.1V 500MW DO213AA

Microchip Technology

4,358 -
JANTXV1N751AUR-1/TR

数据表

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active 5.1 V ±5% 17 Ohms 5 µA @ 2 V 1.1 V @ 200 mA -65°C ~ 175°C Military 500 mW MIL-PRF-19500/127 Surface Mount DO-213AA
JANTXV1N748AUR-1/TR

JANTXV1N748AUR-1/TR

DIODE ZENER 3.9V 500MW DO213AA

Microchip Technology

7,497 -
JANTXV1N748AUR-1/TR

数据表

- DO-213AA Tape & Reel (TR) Active 3.9 V ±5% 23 Ohms 2 µA @ 1 V 1.1 V @ 200 mA -65°C ~ 175°C Military 500 mW MIL-PRF-19500/127 Surface Mount DO-213AA
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