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结型场效应晶体管(JFETs)

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 漏极电流 (Id) - 最大值 截止电压 (VGS off) @ Id 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 电阻 - RDS(On) 漏极到源极电压 (Vdss) 功率 - 最大值 工作温度 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF

JFET N-CH 50V SC70

Toshiba Semiconductor and Storage

7,055 -
2SK880GRTE85LF

数据表

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active N-Channel 50 V 2.6 mA @ 10 V - 1.5 V @ 100 nA 13pF @ 10V - - 100 mW 125°C (TJ) - SC-70 - Surface Mount
2SK2145-Y(TE85L,F)

2SK2145-Y(TE85L,F)

JFET 2N-CH SMV

Toshiba Semiconductor and Storage

17,610 -
2SK2145-Y(TE85L,F)

数据表

- SC-74A, SOT-753 Tape & Reel (TR) Active 2 N-Channel (Dual) - 1.2 mA @ 10 V - 200 mV @ 100 nA 13pF @ 10V - - 300 mW 125°C (TJ) - SMV - Surface Mount
2SK2145-BL(TE85L,F

2SK2145-BL(TE85L,F

JFET 2N-CH SMV

Toshiba Semiconductor and Storage

14,290 -
2SK2145-BL(TE85L,F

数据表

- SC-74A, SOT-753 Tape & Reel (TR) Active 2 N-Channel (Dual) - 6 mA @ 10 V - 200 mV @ 100 nA 13pF @ 10V - - 300 mW 125°C (TJ) - SMV - Surface Mount
2SK3320-BL(TE85L,F

2SK3320-BL(TE85L,F

JFET N-CH USV

Toshiba Semiconductor and Storage

39,917 -
2SK3320-BL(TE85L,F

数据表

- 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Tape & Reel (TR) Active N-Channel - 6 mA @ 10 V - 200 mV @ 100 nA 13pF @ 10V - - 200 mW 125°C (TJ) - USV - Surface Mount
2SK880-Y(TE85L,F)

2SK880-Y(TE85L,F)

JFET N-CH 50V USM

Toshiba Semiconductor and Storage

3,289 -
2SK880-Y(TE85L,F)

数据表

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Active N-Channel 50 V 1.2 mA @ 10 V - 1.5 V @ 100 nA 13pF @ 10V - - 100 mW 125°C (TJ) - USM - Surface Mount
2SK2145-GR(TE85L,F

2SK2145-GR(TE85L,F

JFET 2N-CH SMV

Toshiba Semiconductor and Storage

2,361 -
2SK2145-GR(TE85L,F

数据表

- SC-74A, SOT-753 Tape & Reel (TR) Active 2 N-Channel (Dual) - 2.6 mA @ 10 V - 200 mV @ 100 nA 13pF @ 10V - - 300 mW 125°C (TJ) - SMV - Surface Mount
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