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结型场效应晶体管(JFETs)

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 漏极电流 (Id) - 最大值 截止电压 (VGS off) @ Id 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 电阻 - RDS(On) 漏极到源极电压 (Vdss) 功率 - 最大值 工作温度 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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JANTX2N4859

JANTX2N4859

JFET N-CH 30V TO18

Microsemi Corporation

903 -
JANTX2N4859

数据表

- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bulk Active N-Channel 30 V 175 mA @ 15 V - 10 V @ 500 pA 18pF @ 10V (VGS) 25 Ohms 30 V 360 mW -65°C ~ 200°C (TJ) - TO-18 - Through Hole
JANTX2N4092UB

JANTX2N4092UB

JFET N-CH 40V 4SMD

Microsemi Corporation

101 -
JANTX2N4092UB

数据表

- 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel 40 V 15 mA @ 20 V - - 16pF @ 20V 50 Ohms 40 V 360 mW - Military 4-SMD MIL-PRF-19500/431 Surface Mount
JANTX2N4093UB

JANTX2N4093UB

JFET N-CH 40V UB

Microsemi Corporation

59 -
JANTX2N4093UB

数据表

- 3-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel 40 V 8 mA @ 20 V - - 16pF @ 20V 80 Ohms 40 V 360 mW - Military UB MIL-PRF-19500/431 Surface Mount
JANTX2N4857

JANTX2N4857

JFET N-CH 40V TO18

Microsemi Corporation

9,389 -
JANTX2N4857

数据表

- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bulk Obsolete N-Channel 40 V 100 mA @ 15 V - 6 V @ 500 pA 18pF @ 10V (VGS) 40 Ohms 40 V 360 mW -65°C ~ 200°C (TJ) - TO-18 - Through Hole
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