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结型场效应晶体管(JFETs)

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 漏极电流 (Id) - 最大值 截止电压 (VGS off) @ Id 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 电阻 - RDS(On) 漏极到源极电压 (Vdss) 功率 - 最大值 工作温度 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 漏极电流 (Id) - 最大值 截止电压 (VGS off) @ Id 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 电阻 - RDS(On) 漏极到源极电压 (Vdss) 功率 - 最大值 工作温度 等级 供应商设备封装 认证 安装类型
MQ2N5115UB/TR

MQ2N5115UB/TR

JFET P-CH 30V UB

Microchip Technology

8,477 -
MQ2N5115UB/TR

数据表

- 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active P-Channel 30 V 15 mA @ 15 V - 3 V @ 1 nA 25pF @ 15V 100 Ohms 30 V 500 mW -65°C ~ 200°C (TJ) Military UB MIL-PRF-19500 Surface Mount
MQ2N5116UB/TR

MQ2N5116UB/TR

JFET P-CH 30V UB

Microchip Technology

8,614 -
MQ2N5116UB/TR

数据表

- 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active P-Channel 30 V 5 mA @ 15 V - 1 V @ 1 nA 27pF @ 15V 175 Ohms 30 V 500 mW -65°C ~ 200°C (TJ) Military UB MIL-PRF-19500 Surface Mount
MQ2N2608

MQ2N2608

JFET P-CH 30V 5MA TO18

Microchip Technology

7,638 -
MQ2N2608

数据表

- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bulk Active P-Channel 30 V 1 mA @ 5 V 5 mA 6 V @ 1 µA 10pF @ 5V - - 300 mW -65°C ~ 200°C (TJ) Military TO-18 (TO-206AA) MIL-PRF-19500/295 Through Hole
MQ2N2609

MQ2N2609

JFET P-CH 30V TO18

Microchip Technology

2,351 -
MQ2N2609

数据表

- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bulk Active P-Channel 30 V 2 mA @ 5 V - 750 mV @ 1 µA 10pF @ 5V - 30 V 300 mW -65°C ~ 200°C (TJ) - TO-18 (TO-206AA) - Through Hole
2N2608UB/TR

2N2608UB/TR

JFET P-CH 30V UB

Microchip Technology

2,841 -
2N2608UB/TR

数据表

- 3-SMD, No Lead Tape & Reel (TR) Active P-Channel 30 V 1 mA @ 5 V - 750 mV @ 1 µA 10pF @ 5V - - 300 mW -65°C ~ 200°C (TJ) - UB - Surface Mount
2N2608UB

2N2608UB

JFET P-CH 30V UB

Microchip Technology

5,150 -
2N2608UB

数据表

- 3-SMD, No Lead Bulk Active P-Channel 30 V 1 mA @ 5 V - 750 mV @ 1 µA 10pF @ 5V - - 300 mW -65°C ~ 200°C (TJ) - UB - Surface Mount
MX2N5114

MX2N5114

JFET P-CH 30V TO18

Microchip Technology

7,231 -
MX2N5114

数据表

- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bulk Active P-Channel 30 V 90 mA @ 18 V - 10 V @ 1 nA 25pF @ 15V 75 Ohms 30 V 500 mW -65°C ~ 200°C (TJ) Military TO-18 (TO-206AA) MIL-PRF-19500 Through Hole
MV2N5115

MV2N5115

JFET P-CH 30V TO18

Microchip Technology

2,704 -
MV2N5115

数据表

- TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Bulk Active P-Channel 30 V 15 mA @ 15 V - 3 V @ 1 nA 25pF @ 15V 100 Ohms 30 V 500 mW -65°C ~ 200°C (TJ) Military TO-18 (TO-206AA) MIL-PRF-19500 Through Hole
MV2N4391UB

MV2N4391UB

JFET N-CH

Microchip Technology

5,828 -
MV2N4391UB

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
MV2N4392UB

MV2N4392UB

JFET N-CH

Microchip Technology

3,029 -
MV2N4392UB

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - -
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