富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

结型场效应晶体管(JFETs)

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 漏极电流 (Id) - 最大值 截止电压 (VGS off) @ Id 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 电阻 - RDS(On) 漏极到源极电压 (Vdss) 功率 - 最大值 工作温度 等级 供应商设备封装 认证 安装类型

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 漏极电流 (Id) - 最大值 截止电压 (VGS off) @ Id 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 电阻 - RDS(On) 漏极到源极电压 (Vdss) 功率 - 最大值 工作温度 等级 供应商设备封装 认证 安装类型
IJW120R070T1FKSA1

IJW120R070T1FKSA1

JFET N-CH 1.2KV 35A TO247-3

Infineon Technologies

8,800 -
IJW120R070T1FKSA1

数据表

CoolSiC™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel 1200 V 3.3 µA @ 1200 V 35 A - 2000pF @ 19.5V (VGS) 70 mOhms 1200 V 238 W -55°C ~ 175°C (TJ) - PG-TO247-3 - Through Hole
IJW120R100T1FKSA1

IJW120R100T1FKSA1

JFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3

Infineon Technologies

6,892 -
IJW120R100T1FKSA1

数据表

CoolSiC™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel 1200 V 1.5 µA @ 1200 V 26 A - 1550pF @ 19.5V (VGS) 100 mOhms 1200 V 190 W -55°C ~ 175°C (TJ) - PG-TO247-3 - Through Hole
IJW120R070T1FKSA1

IJW120R070T1FKSA1

JFET PWR FIELD EFFECT

Infineon Technologies

330 -
IJW120R070T1FKSA1

数据表

CoolSiC™ TO-247-3 Bulk Active N-Channel 1200 V 3.3 µA @ 1200 V 35 A - 2000pF @ 19.5V (VGS) 70 mOhms 1200 V 238 W -55°C ~ 175°C (TJ) - PG-TO247-3 - Through Hole
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户