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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 电压 - 关断状态 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值) 电压 - 导通状态 (Vtm)(最大值) 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大值) 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大值) 保持电流 (Ih)(最大值) 电流 - 关断状态(最大值) 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值) 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) SCR 类型 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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2P4M(27)-AZ

2P4M(27)-AZ

THYRISTOR, P-GATE, 2A, 400V

Renesas Electronics Corporation

4,908 -
2P4M(27)-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
2P4M(31)-AZ

2P4M(31)-AZ

THYRISTOR, P-GATE, 2A, 400V

Renesas Electronics Corporation

4,200 -
2P4M(31)-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
2P4M(13)-AZ

2P4M(13)-AZ

THYRISTOR, P-GATE, 2A, 400V

Renesas Electronics Corporation

4,129 -
2P4M(13)-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
2P4M(26)-AZ

2P4M(26)-AZ

THYRISTOR, P-GATE, 2A, 400V

Renesas Electronics Corporation

3,525 -
2P4M(26)-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
2P4M(CE)-AZ

2P4M(CE)-AZ

THYRISTOR, P-GATE, 2A, 400V

Renesas Electronics Corporation

2,000 -
2P4M(CE)-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
CR5AS-12#F01

CR5AS-12#F01

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

Renesas Electronics Corporation

1,588 -
CR5AS-12#F01

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
CR5AS-12#G01

CR5AS-12#G01

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

Renesas Electronics Corporation

1,000 -
CR5AS-12#G01

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
2P6M(5)-AZ

2P6M(5)-AZ

THYRISTOR, P-GATE, 2A, 600V

Renesas Electronics Corporation

873 -
2P6M(5)-AZ

数据表

- TO-202 Long Tab Bulk Active 600 V 800 mV 2.2 V 2 A - 3 mA 100 µA 200 µA 20A @ 60Hz Sensitive Gate TO-202 -40°C ~ 125°C (TJ) Through Hole - -
2P4M(24)-AZ

2P4M(24)-AZ

THYRISTOR, P-GATE, 2A, 400V

Renesas Electronics Corporation

849 -
2P4M(24)-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
2P4M(11)-AZ

2P4M(11)-AZ

THYRISTOR, P-GATE, 2A, 400V

Renesas Electronics Corporation

815 -
2P4M(11)-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
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