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制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 电压 - 关断状态 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值) 电压 - 导通状态 (Vtm)(最大值) 电流 - 导通状态 (It (AV))(最大值) 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大值) 保持电流 (Ih)(最大值) 电流 - 关断状态(最大值) 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值) 电流 - 非重复浪涌 50, 60Hz (Itsm) SCR 类型 供应商设备封装 工作温度 安装类型 等级 认证

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BT169D-L,112

BT169D-L,112

NOW WEEN - BT169D - SILICON CONT

NXP USA Inc.

4,788 -
BT169D-L,112

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Active 400 V 800 mV 1.7 V 500 mA 800 mA 5 mA 100 µA 50 µA 8A, 9A Sensitive Gate TO-92-3 - Through Hole - -
BT151-650L,127

BT151-650L,127

NOW WEEN - BT151-650L - SILICON

NXP USA Inc.

109,123 -
BT151-650L,127

数据表

- TO-220-3 Bulk Active 650 V 1.5 V 1.75 V 7.5 A 12 A 20 mA 500 µA 5 mA 120A, 132A Standard Recovery TO-220AB -40°C ~ 125°C Through Hole - -
BT151-500C,127

BT151-500C,127

NOW WEEN - BT151-500C - SILICON

NXP USA Inc.

2,395 -
BT151-500C,127

数据表

- TO-220-3 Bulk Active 500 V 1.5 V 1.75 V 7.5 A 12 A 20 mA 500 µA 15 mA 100A, 110A Standard Recovery TO-220AB -40°C ~ 125°C Through Hole - -
TYN16X-600RT,127

TYN16X-600RT,127

NOW WEEN - TYN16X-600RT - SILICO

NXP Semiconductors

1,000 -
TYN16X-600RT,127

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - -
BT149B,126

BT149B,126

SCR 200V 800MA TO92-3

NXP USA Inc.

8,688 -
BT149B,126

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tape & Box (TB) Obsolete 200 V 800 mV 1.7 V 500 mA 800 mA 5 mA 100 µA 200 µA 8A, 9A Sensitive Gate TO-92-3 - Through Hole - -
BT169H,112

BT169H,112

SCR 800V 800MA TO92-3

NXP USA Inc.

2,140 -
BT169H,112

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Tube Obsolete 800 V 800 mV 1.7 V 500 mA 800 mA 3 mA 100 µA 100 µA 9A, 10A Sensitive Gate TO-92-3 - Through Hole - -
2N5064,112

2N5064,112

SCR 200V 800MA TO92-3

NXP USA Inc.

7,975 -
2N5064,112

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Bag Obsolete 200 V 800 mV 1.71 V 510 mA 800 mA 5 mA 10 µA 200 µA 10A @ 60Hz Sensitive Gate TO-92-3 -65°C ~ 125°C Through Hole - -
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