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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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P2000MTL

P2000MTL

DIODE GEN PURP 1000V 20A P600

Diotec Semiconductor

961 -
P2000MTL

数据表

- P600, Axial Cut Tape (CT) Active Standard 1000 V 1.1 V @ 20 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 1000 V - 20A - - Through Hole P-600 -50°C ~ 175°C
SK4045YD2-3G

SK4045YD2-3G

DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO263AB

Diotec Semiconductor

5,925 -
SK4045YD2-3G

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active Schottky 45 V 620 mV @ 40 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 110 µA @ 45 V - 40A - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK) -50°C ~ 150°C
ESW6006

ESW6006

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

Diotec Semiconductor

444 -
ESW6006

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 1.8 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 85 ns 50 µA @ 600 V - 60A - - Through Hole TO-247 -50°C ~ 175°C
P2500W

P2500W

DIODE AVALANCHE 1600V 25A P600

Diotec Semiconductor

266 -
P2500W

数据表

- P600, Axial Cut Tape (CT) Active Avalanche 1600 V 1.1 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 1600 V - 25A - - Through Hole P-600 -50°C ~ 175°C
P2500T

P2500T

DIODE AVALANCHE 1300V 25A P600

Diotec Semiconductor

936 -
P2500T

数据表

- P600, Axial Cut Tape (CT) Active Avalanche 1300 V 1.1 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 1300 V - 25A - - Through Hole P-600 -50°C ~ 175°C
SIT08C065

SIT08C065

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

Diotec Semiconductor

1,000 -
SIT08C065

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 8 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 650 V - 8A - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
P2500X

P2500X

DIODE AVALANCHE 1800V 25A P600

Diotec Semiconductor

940 -
P2500X

数据表

- P600, Axial Cut Tape (CT) Active Avalanche 1800 V 1.1 V @ 25 A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 1.5 µs 10 µA @ 1800 V - 25A - - Through Hole P-600 -50°C ~ 175°C
RHRP3060G

RHRP3060G

DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Diotec Semiconductor

590 -
RHRP3060G

数据表

- TO-220-2 Bulk Active Standard 600 V 1.7 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 40 ns 5 µA @ 600 V - 30A - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
SIT10C065

SIT10C065

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

Diotec Semiconductor

980 -
SIT10C065

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 200 µA @ 650 V - 10A - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
SIT12C065

SIT12C065

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

Diotec Semiconductor

1,000 -
SIT12C065

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 20 µA @ 650 V - 12A - - Through Hole TO-220AC -50°C ~ 175°C
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