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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC

Diodes Incorporated

8,125 -
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数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 225pF @ 100mV, 1MHz 6A - - Through Hole TO220AC (Type WX) -55°C ~ 175°C
DTH6007PT

DTH6007PT

DIODE 650V 60A TO247-2

Diodes Incorporated

6,078 -
DTH6007PT

数据表

- TO-247-2 Tube Not For New Designs - 650 V 2.4 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 60 ns 100 µA @ 650 V - 60A - - Through Hole TO-247-2 (Type HE) -55°C ~ 175°C
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DIODE SIL CARB 650V 6A ITO220AC

Diodes Incorporated

7,214 -
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数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 6 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 200 µA @ 650 V 266pF @ 100mV, 1MHz 6A - - Through Hole ITO-220AC (Type WX) -55°C ~ 175°C
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DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO252

Diodes Incorporated

5,482 -
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数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 650 V 400pF @ 100mV, 1MHz 10A - - Surface Mount TO-252 (Type WX) -55°C ~ 175°C
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SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252

Diodes Incorporated

9,876 -
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数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.7 V @ 5 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 190 µA @ 1200 V 318pF @ 100mV, 1MHz 5A - - Surface Mount TO-252 (Type WX) -55°C ~ 175°C
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DIODE SIL CARB 650V 8A ITO220AC

Diodes Incorporated

7,050 -
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数据表

- TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 230 µA @ 650 V 295pF @ 100mV, 1MHz 8A - - Through Hole ITO-220AC (Type WX) -55°C ~ 175°C
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DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC

Diodes Incorporated

5,377 -
DSC08065

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 230 µA @ 650 V 295pF @ 100mV, 1MHz 8A - - Through Hole TO220AC (Type WX) -55°C ~ 175°C
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DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC

Diodes Incorporated

7,449 -
DSC10065

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.7 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 250 µA @ 650 V 400pF @ 100mV, 1MHz 10A - - Through Hole TO220AC (Type WX) -55°C ~ 175°C
B540C-13-F

B540C-13-F

DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC

Diodes Incorporated

868 -
B540C-13-F

数据表

- DO-214AB, SMC Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 550 mV @ 5 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 500 µA @ 40 V 300pF @ 4V, 1MHz 5A - - Surface Mount SMC -55°C ~ 150°C
SDM20U40Q-13

SDM20U40Q-13

DIODE SCHOT 40V 250MA SOD523 10K

Diodes Incorporated

299 -
SDM20U40Q-13

数据表

- SC-79, SOD-523 Tape & Reel (TR) Active Schottky 40 V 600 mV @ 200 mA Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 10 ns 5 µA @ 30 V 50pF @ 0V, 1MHz 250mA Automotive AEC-Q101 Surface Mount SOD-523 -65°C ~ 125°C
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