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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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NC1D120C10ATNG

NC1D120C10ATNG

SiC Schottky 1200V 10A TO220- 2L

NovuSem

500 -
NC1D120C10ATNG

数据表

NC1D TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.6 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 35 µA @ 1200 V 670pF @ 0.1V, 1MHz 10A - - Through Hole TO-220-2L -55°C ~ 175°C
NC1D120C20KTNG

NC1D120C20KTNG

SiC Schottky 1200V 20A TO247- 2L

NovuSem

500 -
NC1D120C20KTNG

数据表

NC1D TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 1200 V 1371pF @ 0V, 1MHz 20A - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
NC1D120C30KTNG

NC1D120C30KTNG

SiC Schottky 1200V 30A TO247- 2L

NovuSem

300 -
NC1D120C30KTNG

数据表

NC1D TO-247-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.6 V @ 20 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 85 µA @ 1200 V 2125pF @ 0.1V, 1MHz 30A - - Through Hole TO-247-2L -55°C ~ 175°C
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