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单个二极管

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 技术 电压 - 直流反向 (Vr)(最大值) 电压 - 正向 (Vf)(最大值)@ If 速度 反向恢复时间 (trr) 电流 - 反向漏电 @ Vr 电容 @ Vr, F 电流 - 平均整流(Io) 等级 认证 安装类型 供应商设备封装 工作温度 - 结点

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STPSC8H065BY-TR

STPSC8H065BY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK

STMicroelectronics

4,209 -
STPSC8H065BY-TR

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V - No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 414pF @ 0V, 1MHz 8A Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK -40°C ~ 175°C
STPSC10065GY-TR

STPSC10065GY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

STMicroelectronics

621 -
STPSC10065GY-TR

数据表

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.45 V @ 10 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 130 µA @ 650 V 670pF @ 0V, 1MHz 10A Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
STPSC8H065DLF

STPSC8H065DLF

DIODE SIL CARB 650V 8A POWERFLAT

STMicroelectronics

5,264 -
STPSC8H065DLF

数据表

ECOPACK®2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.55 V @ 8 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 80 µA @ 650 V 460pF @ 0V, 1MHz 8A - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV -40°C ~ 175°C
STPSC12065GY-TR

STPSC12065GY-TR

DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK

STMicroelectronics

770 -
STPSC12065GY-TR

数据表

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 50 µA @ 600 V 750pF @ 0V, 1MHz 12A Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK -40°C ~ 175°C
STTH60RQ06WL

STTH60RQ06WL

DIODE GEN PURP 600V 60A DO247 LL

STMicroelectronics

475 -
STTH60RQ06WL

数据表

- TO-247-2 Tube Active Standard 600 V 2.95 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 65 ns 80 µA @ 600 V - 60A - - Through Hole DO-247 LL 175°C (Max)
STPSC12065G2Y-TR

STPSC12065G2Y-TR

DIODE SIL CARB 650V 12A D2PAK HV

STMicroelectronics

859 -
STPSC12065G2Y-TR

数据表

ECOPACK®2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.45 V @ 12 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 150 µA @ 650 V 750pF @ 0V, 1MHz 12A Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK HV -40°C ~ 175°C
STPSC12H065D

STPSC12H065D

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC

STMicroelectronics

966 -
STPSC12H065D

数据表

- TO-220-2 Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 650 V 1.75 V @ 12 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - 120 µA @ 650 V 600pF @ 0V, 1MHz 12A - - Through Hole TO-220AC -40°C ~ 175°C
STTH30RQ06L2-TR

STTH30RQ06L2-TR

DIODE GEN PURP 600V 30A HU3PAK

STMicroelectronics

600 -
STTH30RQ06L2-TR

数据表

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active Standard 600 V 2.95 V @ 30 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 55 ns 40 µA @ 600 V - 30A - - Surface Mount HU3PAK 175°C
STTH6010WY

STTH6010WY

DIODE GEN PURP 1KV 60A DO247

STMicroelectronics

548 -
STTH6010WY

数据表

Q DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active Standard 1000 V 2 V @ 60 A Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 115 ns 20 µA @ 1000 V - 60A Automotive - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
STPSC15H12WL

STPSC15H12WL

DIODE SIL CARB 1.2KV 15A DO247

STMicroelectronics

982 -
STPSC15H12WL

数据表

ECOPACK®2 DO-247-2 (Straight Leads) Tube Active SiC (Silicon Carbide) Schottky 1200 V 1.5 V @ 15 A No Recovery Time > 500mA (Io) 0 ns 90 µA @ 1200 V 1200pF @ 0V, 1MHz 15A - - Through Hole DO-247 -40°C ~ 175°C
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